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龍圖騰網(wǎng)獲悉西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司申請的專利具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個或多個反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115527558B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210129014.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11B5/11；該發(fā)明授權(quán)具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個或多個反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法是由樂廣;姜洪權(quán);黃承業(yè);高野久志設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-02-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個或多個反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法在說明書摘要公布了：本公開涉及用于例如磁帶驅(qū)動器例如，磁帶機(jī)的磁存儲裝置的讀磁頭設(shè)備，以及形成讀磁頭設(shè)備的方法。在一個實施方案中，用于磁存儲裝置的讀磁頭包含下屏蔽件、上屏蔽件、一條或多條下引線和多條上引線。所述讀磁頭包含多個讀取傳感器，所述多個讀取傳感器中的每個讀取傳感器包含第一反鐵磁AFM層。所述讀磁頭包含安置在所述多個讀取傳感器之間以及所述多個讀取傳感器外部的多個軟偏置側(cè)屏蔽件。所述讀磁頭包含沿著下磁道方向安置在所述多個軟偏置側(cè)屏蔽件下方的多個第二AFM層。

本發(fā)明授權(quán)具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個或多個反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于磁存儲裝置的讀磁頭，其包括： 下屏蔽件； 上屏蔽件； 一條或多條下引線，其安置在所述下屏蔽件與所述上屏蔽件之間； 多條上引線，其沿著下磁道方向安置在所述一條或多條下引線上方，其中所述多條上引線中的每一個以及所述一條或多條下引線中的每一個是非磁性的和導(dǎo)電的； 多個讀取傳感器，其安置在所述一條或多條下引線與所述多條上引線之間，其中 每個讀取傳感器的緩沖層安置在相對于所述下屏蔽件的第一距離處；每個讀取傳感器的頂蓋層安置在相對于所述上屏蔽件的第二距離處，所述第二距離基本上等于所述第一距離，并且所述多個讀取傳感器中的每個讀取傳感器包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括： 第一反鐵磁層即第一AFM層，以及 自由層； 多個軟偏置側(cè)屏蔽件，其安置在所述多個讀取傳感器之間以及所述多個讀取傳感器外部；以及 多個第二AFM層，其安置在所述下屏蔽件與所述多個軟偏置側(cè)屏蔽件之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。