福建省晉華集成電路有限公司張欽福獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利半導體存儲裝置及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114597175B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210345878.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體存儲裝置及其制作方法是由張欽福;汪超;童宇誠;馮立偉;吳家偉設計研發完成，并于2022-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲裝置及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了半導體存儲裝置及其制作方法，制作方法包括以下步驟。首先，提供襯底，襯底上形成多個有源區，并于襯底內形成淺溝槽隔離，圍繞所有的有源區。接著，于襯底內形成多條柵極溝槽，穿過淺溝槽隔離以及有源區。然后，于襯底上形成半導體層，覆蓋各柵極溝槽的表面，以及，將半導體層氧化為氧化層。而后，于襯底內形成多個柵極結構，各柵極結構分別填滿各柵極溝槽，并與淺溝槽隔離以及有源區交錯。由此，可改善有源區之間空隙較大而衍生的接縫問題，提升所制作的半導體存儲裝置的可靠性。
本發明授權半導體存儲裝置及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置的制作方法，其特征在于包括： 提供襯底，所述襯底上形成多個有源區，所述有源區彼此平行且交替地沿著第一方向延伸； 于所述襯底內形成淺溝槽隔離，圍繞所有的所述有源區； 于所述襯底內形成多條柵極溝槽，各所述柵極溝槽彼此平行地沿著第二方向延伸并穿過所述淺溝槽隔離以及所述有源區； 于所述襯底上形成半導體層，所述半導體層覆蓋各所述柵極溝槽以及所述襯底的表面； 將所述半導體層氧化為氧化層，所述氧化層覆蓋各所述柵極溝槽的表面；以及 于所述襯底內形成多個柵極結構，各所述柵極結構分別填滿各所述柵極溝槽，并與所述淺溝槽隔離以及所述有源區交錯。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯華大道88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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