蘇州金宏氣體股份有限公司高如天獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉蘇州金宏氣體股份有限公司申請的專利一種基于氘氣退火工藝的頂柵底接觸器件及制造方法和有機場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114744113B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210404875.2，技術領域涉及：H10K10/46；該發明授權一種基于氘氣退火工藝的頂柵底接觸器件及制造方法和有機場效應晶體管是由高如天;孫猛設計研發完成，并于2022-04-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于氘氣退火工藝的頂柵底接觸器件及制造方法和有機場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種頂柵底接觸器件結構，從上而下依次包括柵極層?絕緣層?半導體層?源漏電極層和基底層，所述半導體層的材質為有機聚合物，所述有機聚合物的單體中碳碳雙鍵的不飽和度≥8；所述絕緣層和所述半導體層為一體結構；所述半導體的表層經氘氣退火工藝處理得到所述絕緣層。采用了本發明的技術方案，無需重新選擇材料再單獨制備絕緣層，而是通過氘氣退火，利用氘氣在半導體層表面進行加成反應，使表層的半導體層轉化為絕緣材料，直接在半導體層的表層形成絕緣層，減少了絕緣層的加工工藝步驟，從根本上解決了絕緣材料和半導體材料選擇的難題。
本發明授權一種基于氘氣退火工藝的頂柵底接觸器件及制造方法和有機場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種基于氘氣退火工藝的頂柵底接觸器件結構，其特征在于，從上而下依次包括柵極層-絕緣層-半導體層-源漏電極層和基底層，所述絕緣層和所述半導體層為一體結構； 所述半導體層的材質為有機聚合物，所述有機聚合物的單體中碳碳雙鍵的不飽和度≥8；所述半導體的表層經氘氣退火工藝處理，所述有機聚合物與氘氣加成轉化得到所述絕緣層； 所述退火工藝中溫度為200～600℃，保持10～30min； 所述有機聚合物的單體中含有碳碳雙鍵的基團，包括乙烯基、苯乙烯基、芳香族基團中的一種或多種，碳碳雙鍵形成共軛鏈結構； 所述有機聚合物的單體為結構式1：其中，R1、R2、R3、R4為氫或C1～C20的烷基；R5為乙烯基、噻吩基、聯二噻吩基、并二噻吩基、并三噻吩基、苯基、苯乙烯基、并二苯基中的至少一種。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州金宏氣體股份有限公司，其通訊地址為：215152 江蘇省蘇州市相城區黃埭鎮潘陽工業園安民路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號