美光科技公司K·K·柯比獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利具有豎直偏移鍵合表面的半導體互連結構以及相關聯系統和方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115223994B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210408337.0,技術領域涉及:H01L23/528;該發明授權具有豎直偏移鍵合表面的半導體互連結構以及相關聯系統和方法是由K·K·柯比設計研發完成,并于2022-04-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有豎直偏移鍵合表面的半導體互連結構以及相關聯系統和方法在說明書摘要公布了:本文中公開了具有豎直偏移鍵合表面的半導體互連結構以及相關聯系統和方法。在一個實施例中,一種半導體裝置包含:半導體襯底,其至少部分地由具有上表面的第一介電材料覆蓋;以及互連結構,其從所述半導體襯底延伸。所述互連結構可包含:多個導電元件;以及第一絕緣材料的連續區,其至少部分地在所述多個導電元件之間。所述多個導電元件和所述連續區可具有共面端面。所述互連結構可進一步包含至少部分地包圍所述多個導電元件和所述連續區的周邊結構。所述周邊結構可具有最上表面,所述最上表面可從所述第一介電材料的所述上表面和或所述共面端面豎直偏移。
本發明授權具有豎直偏移鍵合表面的半導體互連結構以及相關聯系統和方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體裝置,其包括: 半導體襯底; 介電層,其形成于所述襯底上,所述介電層具有上表面;以及 互連結構,其安置于所述介電層中,所述互連結構包含: 多個導電元件,其電耦合到所述半導體襯底中的電路系統,所述多個導電元件具有共面端面, 第一絕緣材料的連續區,其至少部分地在所述多個導電元件之間,所述區具有與所述端面共面的最上表面,以及 第二絕緣材料的周邊結構,其包圍所述多個導電元件和所述第一絕緣材料的所述區,所述周邊結構的最上表面從所述共面端面或所述介電層的所述上表面豎直偏移。
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