深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司高芮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利異形薄膜晶體管及陣列基板獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114914299B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210512981.2,技術領域涉及:H10D64/23;該發明授權異形薄膜晶體管及陣列基板是由高芮設計研發完成,并于2022-05-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本異形薄膜晶體管及陣列基板在說明書摘要公布了:本申請公開了一種異形薄膜晶體管及陣列基板,異形薄膜晶體管包括第一柵部、第一補償電極和第一源極,第一補償電極位于第一柵部的一側,第一補償電極與第一柵部連接;第一源極與第一柵部異層設置,第一源極與第一補償電極異層設置,第一源極包括依次連接的第一延伸部、第一源部和第二延伸部,第一源部位于第一柵部和第一補償電極之間;第一延伸部設于第一源部靠近第一柵部的一側,第一延伸部的局部與第一柵部重疊設置;第二延伸部設于第一源部靠近第一補償電極的一側,第二延伸部的局部與第一補償電極重疊設置,可以解決陣列基板由于制程偏差而導致寄生電容變化的技術問題。
本發明授權異形薄膜晶體管及陣列基板在權利要求書中公布了:1.一種異形薄膜晶體管,其特征在于,所述異形薄膜晶體管包括: 第一柵部; 第一補償電極,位于所述第一柵部的一側,所述第一補償電極與所述第一柵部連接; 第一源極,所述第一源極與所述第一柵部異層設置,所述第一源極與所述第一補償電極異層設置,所述第一源極包括第一延伸部、第一源部和第二延伸部,所述第一延伸部與所述第一源部連接,所述第二延伸部與所述第一源部連接;所述第一延伸部的局部與所述第一柵部重疊設置;所述第二延伸部的局部與所述第一補償電極重疊設置; 所述異形薄膜晶體管還包括: 第二補償電極,與所述第一源極異層設置,所述第二補償電極連接于所述第一柵部; 第三補償電極,與所述第一源極異層設置,所述第三補償電極連接于所述第一柵部,所述第三補償電極沿與所述第一延伸部或所述第二延伸部的延伸方向垂直的方向設于所述第二補償電極的一側,所述第一源部設于所述第二補償電極和所述第三補償電極之間; 所述第一源極還包括第三延伸部和第四延伸部,所述第三延伸部連接于所述第一源部,所述第三延伸部的局部與所述第二補償電極重疊設置;所述第四延伸部連接于所述第一源部,所述第四延伸部的局部與所述第三補償電極重疊設置。
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