西安微電子技術研究所張旭杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安微電子技術研究所申請的專利一種用于SiO2研磨液殘留物的監控方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115241057B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210858147.9，技術領域涉及：H01L21/3105；該發明授權一種用于SiO2研磨液殘留物的監控方法是由張旭杰;劉如征;王剛平;折宇;劉存生設計研發完成，并于2022-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于SiO2研磨液殘留物的監控方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種SiO2研磨液殘留物的監控方法，屬于半導體制造工藝領域，首先將淀積特定厚度PETEOS膜層的硅片，研磨一定時間，并完成清洗工序，然后掃描缺陷。在初次掃描之后，在硅片表面再淀積一定厚度的PETEOS膜層作為放大層，研磨液殘留物的尺寸就會被放大，能夠被缺陷掃描儀準確檢出。通過計算兩次缺陷掃描結果的差值，準確判斷研磨液殘留情況，清洗方法使用PVA毛刷，通入特定濃度的氨水，對硅片進行刷洗，然后兆聲清洗，之后使用加熱去離子水沖洗，最終高速旋轉甩干，完成清洗工序。與現有技術相比，提高了清洗能力，可以同時滿足多種不同型號SiO2研磨液的清洗要求。
本發明授權一種用于SiO2研磨液殘留物的監控方法在權利要求書中公布了：1.一種SiO2研磨液殘留物的監控方法，其特征在于，包括： S1：在裸硅片4表面淀積第一層PETEOSSiO23膜層，并研磨； S2：對研磨后的硅片進行清洗； S3：對清洗后的硅片進行缺陷掃描，得到缺陷數A； S4：對掃描后的硅片表面再次淀積第二層PETEOSSiO21膜層； S5：將再次淀積了第二層PETEOSSiO21膜層的硅片進行二次缺陷掃描，得到缺陷數B，若B與A的差值不大于設定值，則視為監控合格，否則視為監控不合格。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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