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龍圖騰網獲悉大連海事大學申請的專利一種雙溝槽型碳化硅中子探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115332377B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210993292.8，技術領域涉及：H10F77/14；該發明授權一種雙溝槽型碳化硅中子探測器是由王穎;張立龍;包夢恬;曹菲設計研發完成，并于2022-08-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙溝槽型碳化硅中子探測器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種雙溝槽型碳化硅中子探測器結構，包括：4H?SiC襯底、設置在4H?SiC襯底上方的4H?SiC外延層、開設在4H?SiC外延層正面的第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽交錯設置；第一溝槽內設有中子轉換材料10B粉末，第二溝槽內設有中子轉換材料6LiF粉末；所述4H?SiC外延層正面臺面上設有P型歐姆接觸電極，背面臺面上設有N型歐姆接觸電極。相比于傳統的單溝槽型結構碳化硅中子探測器，本發明提出的雙溝槽結構充分利用了10B和6LiF與熱中子發生核反應的特點，大幅度提升本征探測效率。

本發明授權一種雙溝槽型碳化硅中子探測器在權利要求書中公布了：1.一種雙溝槽型碳化硅中子探測器，其特征在于，包括： 4H-SiC襯底1、4H-SiC外延層2、離子注入形成的P+區3、多個寬度不同的第一溝槽6和第二溝槽7； 所述4H-SiC外延層2在所述4H-SiC襯底1的上方，4H-SiC外延層2正面開設第一溝槽6和第二溝槽7，所述第一溝槽6和第二溝槽7交錯排列； 所述離子注入形成的P+區3在所述第一溝槽6和第二溝槽7的內壁、底面和臺階面上； 所述第一溝槽6和第二溝槽7內填充中子轉換材料；所述中子轉換材料包括10B粉末和6LiF粉末，所述10B粉末在所述第一溝槽6內，所述6LiF粉末在所述第二溝槽7內；所述雙溝槽型碳化硅中子探測器還包括P型歐姆接觸電極4和N型歐姆接觸電極5，所述P型歐姆接觸電極4在所述4H-SiC外延層2臺面上的離子注入形成的P+區3上方，所述N型歐姆接觸電極5在所述4H-SiC外延層2背面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人大連海事大學，其通訊地址為：116000 遼寧省大連市甘井子區凌水街道凌海路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。