上海華力微電子有限公司李哲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利一種電容測試結構及測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115480105B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211042217.X，技術領域涉及：G01R27/26；該發明授權一種電容測試結構及測試方法是由李哲;秋沉沉設計研發完成，并于2022-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電容測試結構及測試方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種電容測試結構及測試方法，所述測試方法包括如下步驟：步驟S1，在短接的源漏端施加一固定的小于該MOS器件的開啟電壓的漏極電壓；步驟S2，在柵極端施加掃描電壓，使電容器件始終處于線性工作狀態下；步驟S3，獲取漏極電流，建立所述漏極電流與柵源電壓的關系模型；步驟S4，根據獲得的所述漏極電流與柵源電壓的關系模型得到跨導柵極電壓曲線，從而得到電容隨柵極電壓變化的曲線，本發明解決了傳統C?V掃描測試不能精確測量小尺寸MOS器件工作狀態下真實電容變化的問題。
本發明授權一種電容測試結構及測試方法在權利要求書中公布了：1.一種MOS器件電容測試裝置，包括源端、漏端、柵極以及襯底端，源漏端短接，其特征在于：在短接的源漏端施加一固定的小于該MOS器件的開啟電壓的漏極電壓Vds，在柵極端施加掃描電壓，使電容器件始終處于線性工作狀態下； 通過監測漏極電流Id隨柵源電壓Vgs的變化曲線，根據所述漏極電流Id隨柵源電壓Vgs的變化曲線獲取跨導柵極電壓曲線，從而得到電容隨柵極電壓變化的曲線； 通過將所述漏極電流Id對柵源電壓Vgs求導得到跨導Gm，從而得到所述跨導柵極電壓曲線，其中，，為器件寬度，L為器件長度，C為器件電容。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力微電子有限公司，其通訊地址為：201314 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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