華燦光電(浙江)有限公司尚玉平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利提升發(fā)光效率的發(fā)光二極管的外延片及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115566119B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211095304.1，技術領域涉及：H10H20/818；該發(fā)明授權提升發(fā)光效率的發(fā)光二極管的外延片及其制備方法是由尚玉平;陸香花;肖云飛;梅勁設計研發(fā)完成，并于2022-09-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本提升發(fā)光效率的發(fā)光二極管的外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種提升發(fā)光效率的發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該制備方法包括：提供一襯底；在所述襯底上依次生長n型層、發(fā)光層和p型層，所述發(fā)光層包括多個層疊的有源層，每個所述有源層包括依次層疊的InGaN量子阱層、Mg金屬層、p型GaN層和GaN量子壘層，在形成所述p型GaN層之前，向反應腔內通入Mg源，對所述InGaN量子阱層進行表面處理，在所述InGaN量子阱層的表面的凹坑內形成所述Mg金屬層。本公開實施例能改善量子阱與量子壘界面處晶體質量和發(fā)光二極管的內量子效率，以提升發(fā)光效率。
本發(fā)明授權提升發(fā)光效率的發(fā)光二極管的外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 提供一襯底； 在所述襯底上依次生長n型層、發(fā)光層和p型層，所述發(fā)光層包括多個層疊的有源層，每個所述有源層包括依次層疊的InGaN量子阱層、Mg金屬層、p型GaN層和GaN量子壘層，在形成所述p型GaN層之前，向反應腔內通入Mg源，對所述InGaN量子阱層進行表面處理，在所述InGaN量子阱層的表面的凹坑內形成所述Mg金屬層，利用Mg偏向于在化學活性較強的位錯中心附近富集的特點，通入Mg源處理后，處理過程中Mg偏向于在V型坑的位置處聚集，使所述InGaN量子阱層表面恢復平整；利用所述p型GaN層產生的空穴將壓電極化負電荷中和，降低極化電荷密度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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