中芯集成電路(寧波)有限公司石虎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司申請的專利一種MEMS器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115557465B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211253855.6，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種MEMS器件及其制造方法是由石虎;劉孟彬;向陽輝設計研發完成，并于2022-10-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MEMS器件及其制造方法在說明書摘要公布了：一種MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：提供頂蓋層，所述頂蓋層包括第一MEMS器件的區域和第二MEMS器件的區域，分別形成有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽中形成氣體釋放層；將頂蓋層與第一基底的第一表面進行第一鍵合；對第一基底執行第一圖案化工藝，以在第一凹槽上方形成第一MEMS器件的第一叉指結構，并在第二凹槽上方形成第二MEMS器件的第二叉指結構；將第一基底的第二表面與第二基底進行第二鍵合，以形成第一空腔和第二空腔；第二鍵合還用于使氣體釋放層受熱產生氣體，以使第一空腔的真空度低于第二空腔的真空度。本發明實施例的MEMS器件的制造方法，能夠同步形成具有不同真空度的第一MEMS器件和第二MEMS器件。
本發明授權一種MEMS器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供頂蓋層，所述頂蓋層包括第一MEMS器件的區域和第二MEMS器件的區域，所述第一MEMS器件的區域形成有第一凹槽，所述第二MEMS器件的區域形成有第二凹槽； 在所述第一凹槽中形成氣體釋放層； 將所述頂蓋層與第一基底的第一表面進行第一鍵合； 對所述第一基底執行第一圖案化工藝，以在所述第一凹槽上方形成所述第一MEMS器件的第一叉指結構，并在所述第二凹槽上方形成所述第二MEMS器件的第二叉指結構； 將所述第一基底的第二表面與第二基底進行第二鍵合，使所述第一凹槽與所述第二基底共同形成容納所述第一叉指結構的第一空腔；并使所述第二凹槽與所述第二基底共同形成容納所述第二叉指結構的第二空腔；所述第二鍵合還用于使所述氣體釋放層受熱產生氣體，以使所述第一空腔的真空度低于所述第二空腔的真空度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司，其通訊地址為：315800 浙江省寧波市北侖區小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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