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龍圖騰網獲悉上海維安半導體有限公司申請的專利一種靜電保護器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116190375B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310052603.5，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權一種靜電保護器件及其制備方法是由蔣騫苑;趙德益;顧彥國;呂海鳳;張嘯;郝壯壯;胡亞莉;蘇海偉設計研發完成，并于2023-02-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種靜電保護器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種靜電保護器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，器件包括：襯底、外延層、埋層、依次鄰接的第一至第五阱區、至少兩個輕摻雜注入區、重阱區、第一至第七注入區、介質層、金屬層，第一阱區和第五阱區的底部與襯底、埋層同時接觸；第二至第四阱區的底部與埋層接觸。本發明所提供的靜電保護器件具有較低的觸發電壓和擊穿電壓，更強的通流能力，較高的靜電泄放能力、較高的穩定性和可靠性，且同時不會增加靜電保護器件的面積。

本發明授權一種靜電保護器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種靜電保護器件，提供一第一導電類型的襯底，以及位于所述襯底上的外延層，其特征在于，包括： 第二導電類型的埋層，形成于所述襯底的預定區域，且所述埋層向上擴散至所述外延層中； 至少五個阱區，依次鄰接形成于所述外延層中，包括第一導電類型的第一阱區、第三阱區以及第五阱區，所述第一阱區和所述第五阱區的底部與所述襯底的上表面、所述外延層中的所述埋層同時相接觸；第二導電類型的第二阱區和第四阱區，所述第二阱區、所述第三阱區以及所述第四阱區的底部與所述埋層相接觸； 至少兩個第二導電類型的輕摻雜注入區，形成于所述第三阱區內，包括第一輕摻雜注入區和第二輕摻雜注入區； 第一導電類型的重阱區，形成于所述第一輕摻雜注入區和所述第二輕摻雜注入區之間； 多個重摻雜注入區，包括第二導電類型的第一至第五注入區，第一注入區形成于所述第二阱區內，第二注入區形成于所述第一輕摻雜注入區內，第三注入區形成于所述重阱區內，第四注入區形成于所述第二輕摻雜注入區內，第五注入區形成于所述第四阱區內；第一導電類型的第六注入區和第七注入區，形成于所述第三阱區內； 介質層，形成于所述外延層的上方，所述介質層中設有對應第一至第七注入區的接觸孔； 金屬層，包括第一接地端金屬層，分別連接所述第一注入區、所述第六注入區、所述第二注入區；IO端金屬層，連接所述第三注入區；第二接地端金屬層，分別連接所述第四注入區、所述第七注入區、所述第五注入區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海維安半導體有限公司，其通訊地址為：201202 上海市浦東新區祝橋鎮施灣七路1001號2幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。