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龍圖騰網(wǎng)獲悉西南大學(xué)申請(qǐng)的專利一種堿金屬薄膜、制備方法、應(yīng)用及裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116732470B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310433124.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/16；該發(fā)明授權(quán)一種堿金屬薄膜、制備方法、應(yīng)用及裝置是由李佐;王俊忠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-04-21向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種堿金屬薄膜、制備方法、應(yīng)用及裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種堿金屬薄膜、制備方法、應(yīng)用及裝置。堿金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：采用硅片制備獲得Si?7×7襯底；在真空條件下，給鎘源除氣，然后加熱使鎘原子蒸鍍到Si?7×7襯底的表面，獲得Cd薄膜；在真空條件下，給對(duì)三聯(lián)苯分子除氣，然后加熱使對(duì)三聯(lián)苯分子蒸鍍到Cd薄膜的表面，獲得對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜；在真空條件下，給堿金屬源除氣，然后加熱使堿金屬原子蒸鍍到對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜的表面，獲得堿金屬摻雜對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜；在真空條件下，對(duì)堿金屬摻雜對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜進(jìn)行退火處理，獲得堿金屬薄膜。本發(fā)明制備了一種堿金屬超薄膜，拓寬了堿金屬薄膜的使用范圍，且提高了性能。

本發(fā)明授權(quán)一種堿金屬薄膜、制備方法、應(yīng)用及裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種堿金屬薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 硅111-7×7襯底的制備：采用硅片制備獲得硅111-7×7襯底； 鎘0001薄膜的生長：在真空條件下，給鎘源除氣，然后加熱使鎘原子蒸鍍到硅111-7×7襯底的表面，獲得鎘0001薄膜；在蒸鍍過程中，硅111-7×7襯底的溫度保持在室溫條件； 對(duì)三聯(lián)苯分子110薄膜的生長：在真空條件下，給對(duì)三聯(lián)苯分子除氣，然后加熱使對(duì)三聯(lián)苯分子蒸鍍到鎘0001薄膜的表面，獲得對(duì)三聯(lián)苯分子110薄膜，在蒸鍍過程中，鎘0001薄膜的溫度保持在零下185℃~零下180℃之間； 堿金屬摻雜對(duì)三聯(lián)苯分子110薄膜的生長：在真空條件下，給堿金屬源除氣，然后加熱使堿金屬原子蒸鍍到對(duì)三聯(lián)苯分子110薄膜中，獲得堿金屬摻雜對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜；在蒸鍍過程中，對(duì)三聯(lián)苯分子110薄膜的溫度保持在零下155℃~零下150℃之間； 堿金屬薄膜的生長：在真空條件下，將堿金屬摻雜對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜置于真空中，在室溫下放置20~40min，使堿金屬摻雜對(duì)三聯(lián)苯分子薄膜溫度從零下195℃上升到零下110℃，再傳入掃描隧道顯微鏡STM中冷卻到零下195℃，完成退火過程，獲得堿金屬薄膜。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西南大學(xué)，其通訊地址為：400715 重慶市北碚區(qū)天生路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。