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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海維安半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種應(yīng)用于LDO的緩啟動電路及LDO電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116449904B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310435466.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F1/56；該發(fā)明授權(quán)一種應(yīng)用于LDO的緩啟動電路及LDO電路是由閆兆文;姚和平;蘇海偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-04-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種應(yīng)用于LDO的緩啟動電路及LDO電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種應(yīng)用于LDO的緩啟動電路及LDO電路，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括：儲能元件；反饋支路，連接于偏置電源和第一節(jié)點之間，反饋支路的控制端連接第一節(jié)點；偏置電源和接地端之間設(shè)有：充電支路、放大級支路和緩沖級支路以及開關(guān)控制電路，充電支路的控制端連接第一節(jié)點；緩沖級支路的控制端連接放大級支路的輸出，緩沖級支路的輸出端連接一功率調(diào)整管的柵極；開關(guān)控制電路包括：開關(guān)支路，連接于第二節(jié)點和接地端之間，第二節(jié)點連接放大級支路的控制端；控制支路，連接于偏置電源和第二節(jié)點之間，控制支路的控制端連接第一節(jié)點。有益效果：本發(fā)明在實現(xiàn)LDO快速上電的同時，可有效解決LDO電壓上電瞬間過沖的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種應(yīng)用于LDO的緩啟動電路及LDO電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種應(yīng)用于LDO的緩啟動電路，其特征在于，包括： 一功率調(diào)整管，所述功率調(diào)整管的源極和漏極連接于一輸入端和一輸出端之間； 一儲能元件，連接于一第一節(jié)點和接地端之間； 一反饋支路，連接于一偏置電源和所述第一節(jié)點之間，所述反饋支路的控制端連接所述第一節(jié)點，形成一正反饋環(huán)路； 所述偏置電源和所述接地端之間設(shè)有： 一充電支路，所述充電支路的控制端連接所述第一節(jié)點，用以控制所述充電支路對所述儲能元件充電； 一放大級支路和一緩沖級支路，所述緩沖級支路的控制端連接所述放大級支路的輸出，所述緩沖級支路的輸出端連接一功率調(diào)整管的柵極； 一開關(guān)控制電路，包括：一開關(guān)支路，連接于一第二節(jié)點和所述接地端之間，所述第二節(jié)點連接所述放大級支路的控制端，用以控制所述放大級支路開啟或關(guān)閉；一控制支路，連接于所述偏置電源和所述第二節(jié)點之間，所述控制支路的控制端連接所述第一節(jié)點，用以根據(jù)所述第一節(jié)點的電壓控制所述控制支路的通斷，進而控制所述第二節(jié)點的電壓； 所述反饋支路包括： 一第一PMOS管，所述第一PMOS管的源極接所述偏置電源，所述第一PMOS管的柵極連接所述第一節(jié)點，所述第一PMOS管的漏極連接一第一反相器的輸入端； 一第二MOS管，所述第二MOS管的一端接所述偏置電源，所述第二MOS管的柵極連接一第二反相器的輸出端，所述第二反相器的輸入端連接所述第一反相器的輸出端，所述第二MOS管的另一端連接所述第一節(jié)點，加速所述控制支路的控制端電壓變高； 一電流比較電路，用以將流經(jīng)第一PMOS管的電流與一電流鏡電路產(chǎn)生的參考電流進行比較，將比較結(jié)果輸出至所述第一反相器的輸入端。

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