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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116344586B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310431333.9，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管及其制備方法是由黃森;蔣其夢;戴心玥;王鑫華;劉新宇設計研發完成，并于2023-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：一種折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管及其制備方法，該折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管包括：基礎層；多異質結層，包括在氮化鎵半絕緣層上自下而上交替堆疊形成的溝道層和勢壘層；氮化鎵調控層，在多異質結層上從溝道區的一側延伸到至少一部分溝槽；電流坍塌抑制結構，在多異質結層上形成于溝道區的另一側，并與氮化鎵調控層通過另一部分溝槽隔開；源極和漏極，在氮化鎵半絕緣層上分別與多異質結層的兩側接觸，漏極與電流坍塌抑制結構的側面與部分上表面接觸；柵極，形成于源極與氮化鎵調控層之間的異質結上；連接結構，穿過柵極的上方電連接源極與氮化鎵調控層。

本發明授權折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種折疊溝道氮化鎵基場效應晶體管，包括： 基礎層，包括在襯底上按自下而上的順序依次形成的氮化物緩沖層以及氮化鎵半絕緣層，所述氮化鎵半絕緣層上表面形成包括至少一個平行延伸的溝槽的溝道區； 多異質結層，覆蓋包括溝槽在內的溝道區，包括在所述氮化鎵半絕緣層上自下而上交替堆疊形成的溝道層和勢壘層，相鄰的所述勢壘層和所述溝道層之間形成異質結； 氮化鎵調控層，在所述多異質結層上從所述溝道區的一側延伸到至少一部分溝槽，以調控所述場效應晶體管在開啟與關閉狀態下對應的溝道區內的電荷平衡； 電流坍塌抑制結構，在所述多異質結層上形成于所述溝道區的另一側，并與所述氮化鎵調控層通過另一部分所述溝槽隔開；其中，所述電流坍塌抑制結構適用于在漏極電壓較高時，對所述漏極提供空穴注入，實現所述漏極上的電荷平衡； 源極和漏極，在所述氮化鎵半絕緣層上分別與所述多異質結層的兩側接觸，所述漏極與所述電流坍塌抑制結構的側面與部分上表面接觸； 柵極，形成于所述源極與所述氮化鎵調控層之間的所述多異質結層上； 連接結構，穿過所述柵極的上方電連接所述源極與所述氮化鎵調控層； 其中，所述氮化鎵調控層、和所述電流坍塌抑制結構均包括按自下向上堆疊的輕摻雜P型氮化鎵層和重摻雜P型氮化鎵層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。