上海華力微電子有限公司張景春獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利缺陷源檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116468712B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310465632.4，技術領域涉及：G06T7/00；該發明授權缺陷源檢測方法是由張景春設計研發完成，并于2023-04-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本缺陷源檢測方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種缺陷源檢測方法，包括：提供缺陷芯片，獲得缺陷芯片的缺陷信息；建立缺陷源檢測模型；將缺陷信息、缺陷芯片的版圖及缺陷芯片的制備進程信息輸入至缺陷源檢測模型中，缺陷源檢測模型仿真處理后輸出缺陷芯片的缺陷源。本發明通過建立缺陷源檢測模型，缺陷源檢測模型結合缺陷信息、缺陷芯片的版圖及缺陷芯片的制備進程信息進行仿真處理，利于線上快速檢測獲得缺陷芯片的缺陷源。
本發明授權缺陷源檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種缺陷源檢測方法，用于檢測線上缺陷芯片的缺陷源，其特征在于，包括： 提供缺陷芯片，獲得所述缺陷芯片的缺陷信息； 建立缺陷源檢測模型，所述缺陷源檢測模型包括存儲模塊、版圖定位模塊、版圖分析模塊及進程仿真模塊；以及， 將所述缺陷信息、所述缺陷芯片的版圖及所述缺陷芯片的制備進程信息輸入至所述缺陷源檢測模型中，所述缺陷源檢測模型仿真處理后輸出所述缺陷芯片的缺陷源； 其中，所述缺陷源檢測模型仿真處理后輸出所述缺陷芯片的缺陷源的步驟包括： 所述缺陷信息輸入至所述存儲模塊中，所述版圖輸入至所述版圖定位模塊中； 利用所述版圖定位模塊根據所述缺陷信息獲得缺陷在所述版圖中的中心坐標位置； 利用所述版圖分析模塊根據所述中心坐標位置獲得所述缺陷源的工藝進程；以及， 所述缺陷芯片的制備進程信息包括所述缺陷源的工藝進程對應的機臺參數，利用所述進程仿真模塊根據所述缺陷信息、所述缺陷源的工藝進程及所述缺陷源的工藝進程對應的機臺參數進行仿真，獲得并輸出所述缺陷芯片的缺陷源。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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