中國科學技術大學;楊樹楊樹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學技術大學;楊樹申請的專利一種具有抗單粒子效應能力的平面型氮化鎵功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116741804B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310599805.1，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種具有抗單粒子效應能力的平面型氮化鎵功率器件是由楊樹;韓在天;龍世兵設計研發完成，并于2023-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有抗單粒子效應能力的平面型氮化鎵功率器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有抗單粒子效應能力的平面型氮化鎵功率器件，所述平面型氮化鎵功率器件自下而上包括襯底、第一半導體層與第二半導體層，所述第二半導體層的兩端分別設有源極與漏極，在第二半導體層靠近源極處設有第三半導體蓋帽層，所述第三半導體蓋帽層上設有柵極；所述源極的附近設有第二源極以形成混合源極，所述混合源極淀積到所述第二半導體層內部并在側壁和底部形成金半接觸，用于抽取輻照感生過剩空穴，削弱柵極下方區域空穴的累積。本發明能夠有效降低輻照后引起的瞬態電流以避免器件的單粒子燒毀，提高HEMT器件的抗輻照能力，能夠使輻照后原本需要較長時間復合的柵極下方空穴更有效復合。
本發明授權一種具有抗單粒子效應能力的平面型氮化鎵功率器件在權利要求書中公布了：1.一種具有抗單粒子效應能力的平面型氮化鎵功率器件，其特征在于，所述平面型氮化鎵功率器件自下而上包括襯底、第一半導體層與第二半導體層，所述第二半導體層的兩端分別設有源極與漏極，在第二半導體層靠近源極處設有第三半導體蓋帽層，所述第三半導體蓋帽層上設有柵極；所述源極的附近設有第二源極以形成混合源極，所述混合源極淀積到所述第二半導體層內部并在側壁和底部形成金半接觸，用于抽取輻照感生過剩空穴，削弱柵極下方區域空穴的累積； 所述第二源極與所述第一半導體層的接觸處呈由深至淺的階梯型。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學技術大學;楊樹，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市金寨路96號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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