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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利一種懸空異質薄膜的圖形化方法及壓力傳感器制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116768146B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310727356.4，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種懸空異質薄膜的圖形化方法及壓力傳感器制備方法是由劉瑛;劉冠軍;邱靜;呂克洪;楊鵬;張勇;郭斯琳設計研發完成，并于2023-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種懸空異質薄膜的圖形化方法及壓力傳感器制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種懸空異質薄膜的圖形化方法及壓力傳感器制備方法，該方法的所有步驟與當前CMOS工藝完全兼容，在無需額外定制設備的基礎上，可實現懸空二維材料結構的大規模流片制備以及成本削減；在方法實施過程中，二維材料全程被高分子支撐材料支撐和保護，有效避免實施過程中二維材料的破損。

本發明授權一種懸空異質薄膜的圖形化方法及壓力傳感器制備方法在權利要求書中公布了：1.一種懸空異質薄膜的圖形化方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：取合適尺寸生長有單層或少層二維材料的基底； S2：將所述基底固定于合適支撐平臺上，將支撐平臺固定于勻膠機上； S3：在所述基底的二維材料上旋涂一層高分子支撐材料； S4：取下基底，去除基底的邊緣； S5：將基底置于基底刻蝕溶液中，刻蝕去除生長二維材料的基底，獲得漂浮在刻蝕液表面的復合異質薄膜； S6：清洗所述復合異質薄膜，去除復合異質薄膜中二維材料表面的有機污染物和金屬污染物； S7：用預先制備的帶空腔基底從去離子水中撈取復合異質薄膜，并將撈取了復合異質薄膜的帶空腔基底傾斜靜置，自然去水干燥； S8：對干燥后的撈取了復合異質薄膜的帶空腔基底進行加熱處理，得到薄膜樣品； S9：在薄膜樣品表面依次旋涂一層LOR層、一層與LOR兼容的常規光刻膠層； S10：曝光待刻蝕的薄膜樣品圖形，將薄膜樣品浸入所述常規光刻膠的顯影液中顯影暴露待刻蝕區域； S11：根據所述二維材料的類型，選用對應的等離子體，利用所述等離子體對薄膜樣品的待刻蝕區域進行刻蝕； S12：再次將薄膜樣品浸入所述常規光刻膠的顯影液中，溶解LOR層； S13：待LOR層溶解完畢后，輕輕晃動樣品以使原LOR層上的常規光刻膠層完全剝離，釋放圖形化后的復合異質薄膜； S14：將圖形化后的復合異質薄膜轉移至去離子水中清洗，再轉移至低表面張力溶液中清洗并取出，氮氣吹干，得到圖形化薄膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。