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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安交通大學(xué);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十二研究所申請(qǐng)的專利基于FDTD算法的波導(dǎo)端口實(shí)現(xiàn)與S參數(shù)提取方法、系統(tǒng)、裝置及介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116975593B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310762132.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F18/213；該發(fā)明授權(quán)基于FDTD算法的波導(dǎo)端口實(shí)現(xiàn)與S參數(shù)提取方法、系統(tǒng)、裝置及介質(zhì)是由陳娟;尚詩怡;彭懷云;劉凱設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-06-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于FDTD算法的波導(dǎo)端口實(shí)現(xiàn)與S參數(shù)提取方法、系統(tǒng)、裝置及介質(zhì)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于FDTD算法的波導(dǎo)端口實(shí)現(xiàn)與S參數(shù)提取方法、系統(tǒng)、裝置及介質(zhì)，包括：構(gòu)建激勵(lì)空間模型和設(shè)置激勵(lì)源并進(jìn)行FDTD迭代，輸出入射波場(chǎng)；然后構(gòu)建目標(biāo)空間模型和設(shè)置連接邊界，并進(jìn)行FDTD迭代，獲取對(duì)m端口反射電場(chǎng)取樣值和n端口入射電場(chǎng)取樣值，完成S參數(shù)提取。本發(fā)明完成設(shè)置激勵(lì)源和在端口中提取參數(shù)的過程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)天線輻射特性提取；本發(fā)明基于FDTD算法的波導(dǎo)端口在C++中的實(shí)現(xiàn)，提高了運(yùn)算效率以及應(yīng)用范圍。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)從激勵(lì)空間建模到參數(shù)提取部分的完整且系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，且對(duì)于不同結(jié)構(gòu)的目標(biāo)的具體設(shè)置進(jìn)行了規(guī)定，具有設(shè)置簡(jiǎn)單，應(yīng)用靈活的特點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)基于FDTD算法的波導(dǎo)端口實(shí)現(xiàn)與S參數(shù)提取方法、系統(tǒng)、裝置及介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.基于FDTD算法的波導(dǎo)端口實(shí)現(xiàn)與S參數(shù)提取方法，其特征在于，包括： 步驟1：構(gòu)建激勵(lì)空間模型，并設(shè)置激勵(lì)源；激勵(lì)空間模型包括波導(dǎo)激勵(lì)空間模型和微帶線激勵(lì)空間模型，波導(dǎo)激勵(lì)空間模型包括激勵(lì)源、CPML吸收層和傳輸線，微帶線激勵(lì)空間模型包括激勵(lì)源、CPML吸收層和微帶線，激勵(lì)源平面位于激勵(lì)空間波導(dǎo)中，CPML吸收層分別占據(jù)左右兩端10個(gè)網(wǎng)格，傳輸線兩端插入CPML吸收層中，微帶線是開放傳輸線； 步驟2：基于激勵(lì)空間模型和激勵(lì)源進(jìn)行FDTD迭代，判斷FDTD是否為結(jié)束，若是，輸出入射波場(chǎng)；若否，重復(fù)步驟2，直至迭代結(jié)束； 步驟3：構(gòu)建目標(biāo)空間模型，并設(shè)置連接邊界，包括波導(dǎo)目標(biāo)空間模型和微帶線目標(biāo)空間模型；波導(dǎo)目標(biāo)空間模型的連接邊界位于CPML吸收層后10個(gè)網(wǎng)格距離處，微帶線目標(biāo)空間模型的連接邊界位于CPML吸收層后10個(gè)網(wǎng)格距離處； 步驟4：基于目標(biāo)空間模型、連接邊界和入射場(chǎng)進(jìn)行FDTD迭代，判斷FDTD是否為結(jié)束；若是，獲取對(duì)m端口反射電場(chǎng)取樣值和n端口入射電場(chǎng)取樣值；若否，重復(fù)步驟4，直至迭代結(jié)束； 步驟5：基于m端口反射電場(chǎng)取樣值和n端口入射電場(chǎng)取樣值，完成S參數(shù)提取。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安交通大學(xué);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十二研究所，其通訊地址為：710049 陜西省西安市碑林區(qū)咸寧西路28號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。