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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種化合物半導體電路隔離結構及含有該結構的化合物半導體設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117174647B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311340861.X，技術領域涉及：H01L21/761；該發明授權一種化合物半導體電路隔離結構及含有該結構的化合物半導體設備是由朱厲陽;李明哲;吳佳燕;彭若詩;徐少東;吳暢;袁俊設計研發完成，并于2023-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種化合物半導體電路隔離結構及含有該結構的化合物半導體設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種化合物半導體電路隔離結構，其包括隔離槽以及制作在隔離槽下方的阻擋區和接觸層；隔離槽底部位于襯底中，阻擋區至少有兩列且分別靠近兩邊化合物器件布設，阻擋區與襯底形成PN結，阻擋區沿隔離槽底部向頂部方向上的正投影位于隔離槽底部區域內，接觸層沿隔離槽頂部向底部方向上的正投影位于兩列阻擋區或其正投影之間且其摻雜類型與阻擋區的摻雜類型相反，PN結結構與單獨的隔離電位及地電位電連接，通過隔離槽和PN結實現相鄰兩個化合物器件的隔離。該結構中PN結產生的高阻空間電荷區不隨電路中電位變化而變化，能夠穩定的阻斷電路各部之間串擾路徑，且用于實現隔離的電位被阻擋區限制在隔離槽中，防止了其對電路其它部分的影響。

本發明授權一種化合物半導體電路隔離結構及含有該結構的化合物半導體設備在權利要求書中公布了：1.一種化合物半導體電路隔離結構，其特征在于，包括隔離槽（1）以及制作在隔離槽（1）下方的阻擋區（2）和接觸層（3）； 所述隔離槽（1）底部位于襯底（4）中，所述阻擋區（2）至少有兩列且分別靠近兩邊化合物器件布設，所述阻擋區（2）與襯底（4）形成PN結，所述阻擋區（2）沿隔離槽（1）底部向頂部方向上的正投影位于隔離槽（1）底部區域內，所述接觸層（3）沿隔離槽（1）頂部向底部方向上的正投影位于兩列阻擋區（2）或其正投影之間且其摻雜類型與阻擋區（2）的摻雜類型相反，所述PN結結構均通過阻擋區（2）和接觸層（3）與單獨的隔離電位及地電位電連接； 所述隔離結構通過隔離槽（1）和PN結實現相鄰兩個化合物器件的隔離； 所述襯底（4）沿隔離槽底部向頂部方向依次為輕摻雜層（41）、高阻層（42）、重摻雜層（43），所述隔離槽（1）貫穿全部重摻雜層（43）、高阻層（42）和部分輕摻雜層（41）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖開發區關東科技工業園華光大道18號19層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。