買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉南京第三代半導體技術創新中心有限公司;中國電子科技集團公司第五十五研究所;南京第三代半導體技術創新中心申請的專利具備電場調制結構的場效應晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118335799B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410468152.8，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權具備電場調制結構的場效應晶體管及其制造方法是由張躍;張騰;黃潤華;柏松;楊勇設計研發完成，并于2024-04-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本具備電場調制結構的場效應晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具備電場調制結構的場效應晶體管及其制造方法，場效應晶體管包括：位于第二導電類型外延層之中的第一導電類型漂移區、第二導電類型阱區，位于第二導電類型阱區之中的第一導電類型源區；位于第一導電類型漂移區之中的絕緣層、第一導電類型漏區，且絕緣層位于第一導電類型源區、第一導電類型漏區之間；位于絕緣層之中的臺階狀導電材料，階狀導電材料包括N級導電材料，第一級導電材料至第N級導電材料深度遞減；本發明在避免影響器件頻率特性的前提下，于半導體體內集成電場調制結構，既可以有效調制電場分布、提升阻斷特性，又可以增大漂移區摻雜濃度，進而提升導通特性。

本發明授權具備電場調制結構的場效應晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具備電場調制結構的場效應晶體管，其特征在于，包括： 第二導電類型襯底；位于第二導電類型襯底之上的第二導電類型外延層； 位于第二導電類型外延層之中的第一導電類型漂移區、第二導電類型阱區，第一導電類型漂移區、第二導電類型阱區毗鄰；第二導電類型阱區的深度大于第一導電類型漂移區的深度； 位于第二導電類型阱區之中的第一導電類型源區； 位于第一導電類型漂移區之中的絕緣層、第一導電類型漏區，絕緣層、第一導電類型漏區毗鄰，第一導電類型漏區的深度大于絕緣層的深度；且絕緣層位于第一導電類型源區、第一導電類型漏區之間；絕緣層的深度范圍為0.5μm~4.0μm，絕緣層與第二導電類型阱區之間的距離范圍為0.4μm~2.0μm； 位于絕緣層之中的臺階狀導電材料，臺階狀導電材料包括N級，靠近柵極為第一級導電材料，靠近第一導電類型漏區為第N級導電材料，第一級導電材料至第N級導電材料深度遞減，第一級導電材料底部與絕緣層底面的間距為D1，第二級導電材料底部與絕緣層底面的間距為D2，以此類推，第N級導電材料底部與絕緣層底面的間距為DN，D1D2……DN，D1與D2相差0.1μm~1.0μm，D2與D3相差0.1μm~1.0μm，……，DN-1與DN相差0.1μm~1.0μm； 位于第一導電類型漂移區、第二導電類型阱區交界面之上的柵介質，柵介質投影的一側位于第一導電類型源區之上，另一側位于第一導電類型漂移區之上； 位于柵介質之上的柵極，柵極的寬度小于柵介質的寬度； 位于柵介質和柵極的兩側及之上的隔離介質； 位于隔離介質一側、覆蓋部分第二導電類型阱區、部分第一導電類型源區的源極；位于隔離介質另一側、覆蓋部分絕緣層、第一導電類型漏區的漏極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京第三代半導體技術創新中心有限公司;中國電子科技集團公司第五十五研究所;南京第三代半導體技術創新中心，其通訊地址為：211111 江蘇省南京市江寧經濟技術開發區秣周東路9號無線谷綜合樓8408、8409室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。