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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州澤達半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種掩埋異質(zhì)結(jié)邊發(fā)射激光器制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118407139B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410548349.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B33/12；該發(fā)明授權(quán)一種掩埋異質(zhì)結(jié)邊發(fā)射激光器制備方法是由郭海俠;張揚伙;角谷昌紀(jì)設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-05-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種掩埋異質(zhì)結(jié)邊發(fā)射激光器制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種掩埋異質(zhì)結(jié)邊發(fā)射激光器制備方法。本發(fā)明采用多次選擇性濕法刻蝕與多次干法刻蝕有機結(jié)合的方式進行掩埋異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的刻蝕，并采用以HI作為刻蝕氣體，以SiCl4作為保護氣體的化學(xué)刻蝕占主導(dǎo)作用的ICP干法刻蝕工藝，避免引入Ar、N2等轟擊作用較強的粒子，極大程度上降低了刻蝕表面粗糙度和表面損傷，規(guī)避了ICP技術(shù)的掩膜側(cè)蝕效應(yīng)；本發(fā)明方案可實現(xiàn)掩埋異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)側(cè)面垂直度及橫縱向尺寸的精確控制，同時可獲得平整光滑無損傷的側(cè)壁及底部形貌，AFM測試粗糙度顯示刻蝕表面接近于一次外延表面，基于該表面形貌進行電流限制結(jié)構(gòu)的再生長，包覆性和平整度較好，提高了激光器的性能穩(wěn)定性和一致性。

本發(fā)明授權(quán)一種掩埋異質(zhì)結(jié)邊發(fā)射激光器制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種掩埋異質(zhì)結(jié)邊發(fā)射激光器制備方法，包括對外延片進行刻蝕以形成掩埋異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的步驟，以及在所述掩埋異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)兩側(cè)生長形成電流限制結(jié)構(gòu)的步驟；所述外延片包括自下而上的襯底層、N型InP層、有源層、下P型InP層、P型InGaAs層、上P型InP層、刻蝕掩膜；其特征在于，使用以下工藝對外延片進行刻蝕以形成掩埋異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)： S1、第一次干法刻蝕：使用以HI作為刻蝕氣體，以SiCl4作為保護氣體的ICP刻蝕工藝將外延片刻蝕至下P型InP層，并保證有源層不暴露； S2、第一次濕法刻蝕：使用選擇性刻蝕溶液僅對P型InGaAs層進行濕法刻蝕，使得P型InGaAs層側(cè)向內(nèi)縮； S3、第二次濕法刻蝕：使用選擇性刻蝕溶液僅對下P型InP層和上P型InP層進行濕法刻蝕，使得下P型InP層和上P型InP層側(cè)向內(nèi)縮至與P型InGaAs層的邊緣重疊； S4、第二次干法刻蝕：使用以HI作為刻蝕氣體，以SiCl4作為保護氣體的ICP刻蝕工藝將有源層暴露出的部分刻蝕掉，使得有源層側(cè)向內(nèi)縮至與下P型InP層、P型InGaAs層、上P型InP層的邊緣重疊； S5、第三次濕法刻蝕：使用選擇性刻蝕溶液僅對N型InP層進行濕法刻蝕，使得N型InP層側(cè)向內(nèi)縮至與有源層、下P型InP層、P型InGaAs層、上P型InP層的邊緣重疊。

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