中國人民解放軍國防科技大學荀濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利一種基于SiC-GaN復合光電導開關獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119029077B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410906576.8，技術領域涉及：H10F30/10；該發明授權一種基于SiC-GaN復合光電導開關是由荀濤;劉福印;王朗寧;曾玲瓏;何婷;楊漢武;劉金亮;張建德設計研發完成，并于2024-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于SiC-GaN復合光電導開關在說明書摘要公布了：一種基于SiC?GaN復合光電導開關，包括碳化硅襯底、半絕緣氮化鎵外延層和兩個電極，半絕緣氮化鎵外延層設置上在碳化硅襯底的一個面上；兩個電極分別設置在氮化鎵外延層上表面的兩側；碳化硅襯底采用高純半絕緣碳化硅襯底或釩補償碳化硅襯底中的一種；半絕緣氮化鎵外延層通過深能級雜質摻雜。本發明的基于SiC?GaN復合光電導開關，能夠利用碳化硅相對較高的吸收深度增大器件厚度、提升機械強度以實現背面光入射；充分發揮氮化鎵優秀的輸運特性以實現低導通電阻、高光電轉換效率；再次外延生長的薄層氮化鎵具有更高的晶體質量，晶體內部缺陷更少、成本更低。
本發明授權一種基于SiC-GaN復合光電導開關在權利要求書中公布了：1.一種基于SiC-GaN復合光電導開關，其特征在于：包括碳化硅襯底、半絕緣氮化鎵外延層和兩個電極，所述半絕緣氮化鎵外延層設置上在碳化硅襯底的一個面上；所述兩個電極分別設置在氮化鎵外延層上表面的兩側；所述碳化硅襯底采用高純半絕緣碳化硅襯底或釩補償碳化硅襯底中的一種；所述半絕緣氮化鎵外延層通過深能級雜質鐵或碳摻雜；所述碳化硅襯底的厚度在200μm以內； 激光穿過碳化硅襯底入射至半絕緣氮化鎵外延層內，透過碳化硅襯底的觸發光被半絕緣氮化鎵外延層的氮化鎵材料吸收，碳化硅與氮化鎵內部同時產生光生載流子，在偏置電壓的作用下，形成光電流。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410000 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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