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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司申請的專利氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118943181B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411024853.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法是由梁帥;樊永輝;許明偉;樊曉兵設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-07-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法。本申請通過在器件中設(shè)計柵極溝槽，將柵極金屬制備在其柵極溝槽內(nèi)，然后在器件上設(shè)計圍繞柵極溝槽的圓環(huán)狀的源極溝槽，且在源極溝槽內(nèi)制備源極金屬。此種設(shè)置能夠?qū)艠O包裹在圓環(huán)結(jié)構(gòu)的源極內(nèi)，以減少柵極區(qū)域受到的電場強度，從而降低柵極擊穿的風(fēng)險。同時圓環(huán)狀的源極溝槽的設(shè)計，有助于更均勻的分布電場，減少電場集中的區(qū)域，進一步防止過早擊穿，以提高器件和性能和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氮化物半導(dǎo)體器件，包括沿器件的垂直方向依次設(shè)置的第一金屬層、輔助層、漂移層、調(diào)控層、溝道層、勢壘層以及第二金屬層，其特征在于， 所述氮化物半導(dǎo)體器件還包括第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽均貫穿所述勢壘層、溝道層和所述調(diào)控層后，延伸至所述漂移層內(nèi)；所述調(diào)控層能夠有效調(diào)節(jié)所述漂移層中的電場分布； 所述氮化物半導(dǎo)體器件還包括第三溝槽，所述第三溝槽貫穿所述調(diào)控層后延伸至所述漂移層內(nèi)，所述第三溝槽內(nèi)填充有第一半導(dǎo)體層，且所述第一半導(dǎo)體層與所述調(diào)控層上表面齊平，所述第一半導(dǎo)體層選用為P型摻雜的氮化鎵； 所述第一溝槽內(nèi)設(shè)置有覆蓋槽底部和槽側(cè)壁的介質(zhì)層及填充于所述第一溝槽內(nèi)的第三金屬層； 所述第二溝槽內(nèi)填充有所述第二金屬層； 所述第二溝槽圍繞所述第一溝槽設(shè)置，且所述第二溝槽呈圓環(huán)狀。

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