科大國盾量子技術股份有限公司劉仁德獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉科大國盾量子技術股份有限公司申請的專利基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉儀獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223272754U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202422825136.8,技術領域涉及:G02F1/025;該實用新型基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉儀是由劉仁德;萬穎璇;馬龑;栗帥;謝志林;何天宇;王立偉設計研發完成,并于2024-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉儀在說明書摘要公布了:本實用新型提出了一種基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器,以及利用這種相移器實現的片上集成的低功耗MZ干涉儀。本實用新型突破了載流子色散型相移器中需要配置并聯匹配電阻的固有思維,不再在載流子色散型相移器中設置并聯電阻,使其能夠表現出大阻抗和極小電流,從而在工作中能夠產生極小的功耗,保證本身溫度不變,由此實現高穩定性,尤其適于直流工況。此外,本實用新型通過在調制電極上采用梳狀設計,能夠有效提升空間利用率,尤其是與現有直條形設計相比,在相同等效相移長度情況下,本實用新型的相移器整體面積更低,可以顯著提高器件集成度。
本實用新型基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器及MZ干涉儀在權利要求書中公布了:1.一種基于硅基SOI芯片的高集成低功耗相移器,其包括硅基襯底以及形成于所述硅基襯底上的脊型光波導、第一電極和第二電極; 其特征在于,所述相移器為載流子色散型,且所述第一電極和第二電極之間未設置有終端匹配電阻; 并且,所述第一電極和第二電極為梳狀,且所述第一電極和第二電極的梳齒相互交叉設置。
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