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龍圖騰網獲悉聯和存儲科技(江蘇)有限公司申請的專利降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119883114B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411891987.0，技術領域涉及：G06F3/06；該發明授權降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質是由徐明揆;黃新運;高偉設計研發完成，并于2024-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質在說明書摘要公布了：本發明公開一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質，方法包括：根據擦除指令，獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元；對編程閃存單元進行抑制處理和對擦除閃存單元進行預編程處理，得到處理后的待擦除存儲塊；對處理后的待擦除存儲塊進行擦除操作功。本發明通過對編程閃存單元進行抑制處理，再對擦除閃存單元進行預編程處理；使得編程閃存單元不受擦除過程影響，令編程閃存單元的閾值電壓不變，從而降低閾值電壓分布范圍。

本發明授權降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法包括： 根據擦除指令，獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元； 對所述編程閃存單元進行抑制處理和對所述擦除閃存單元進行預編程處理，得到處理后的待擦除存儲塊； 對所述處理后的待擦除存儲塊進行擦除操作； 所述獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元，包括： 讀取所述待擦除存儲塊中各閃存單元的當前狀態，其中，當前狀態包括編程狀態和擦除狀態； 若所述閃存單元的所述當前狀態為所述編程狀態，則確定所述閃存單元為編程閃存單元； 若所述閃存單元的所述當前狀態為所述擦除狀態，則確定所述閃存單元為擦除閃存單元； 所述對所述編程閃存單元進行抑制處理和對所述擦除閃存單元進行預編程處理，包括： 對所述編程閃存單元的所述編程狀態進行所述抑制處理，使所述編程閃存單元的所述編程狀態被抑制； 對所述擦除閃存單元的所述擦除狀態進行所述預編程處理，使所述擦除閃存單元從所述擦除狀態轉為所述編程狀態； 其中，NANDFLASH包括多個存儲塊，存儲塊包括多個閃存單元，待擦除存儲塊是等待擦除的存儲塊，NANDFLASH對任一存儲塊執行擦除操作時，存儲塊中編程閃存單元和擦除閃存單元并存。

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