成都信息工程大學李杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉成都信息工程大學申請的專利基于VO2的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119882276B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510114400.3，技術領域涉及：G02F1/01；該發明授權基于VO2的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法是由李杰;周玲;羅莉;鄒雨欣;霍佳慧;楊旭;林展逸;趙哲;邊菁菁;楊嘉琪設計研發完成，并于2025-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于VO2的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法在說明書摘要公布了：本發明公開了基于VO2的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法，屬于光學器件領域，包括金屬基底層、Si介質層以及周期設置于Si介質層頂端的超表面單元，超表面單元為由VO2與金屬復合形成的手性結構；超表面單元包括由第一中間金屬框架和第二中間金屬框架組成的中間結構以及設置于中間結構兩側的側部金屬條，第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的相背側的中間位置均鑲嵌有VO2，第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的相對側的中間位置均連接有金屬凸起。采用上述基于VO2的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法，實現了通過調整二氧化釩的電導率，使超表面能夠調節入射光的偏振狀態，實現動態可調諧的功能。
本發明授權基于VO2的偏振調制器、偏振特性分析方法及調制方法在權利要求書中公布了：1.一種基于VO2的偏振調制器，其特征在于：包括金屬基底層、設置于金屬基底層頂端的Si介質層以及周期設置于Si介質層頂端的超表面單元，超表面單元為由VO2與金屬復合形成的手性結構； 超表面單元包括由第一中間金屬框架和第二中間金屬框架組成的中間結構以及設置于中間結構兩側的側部金屬條，第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的相背側的中間位置均鑲嵌有VO2，第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的相對側的中間位置均連接有金屬凸起； 第一中間金屬框架和第二中間金屬框架的左右兩側均經連接金屬條與側部金屬條連接； 中間結構、金屬凸起、側部金屬條以及金屬基底層的材質均為金。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人成都信息工程大學，其通訊地址為：610225 四川省成都市西南航空港經濟開發區學府路1段24號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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