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龍圖騰網獲悉深圳市深鴻盛電子有限公司申請的專利基于MOS管的自適應偏置電壓優化方法及相關設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119814011B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510294734.3，技術領域涉及：H03K17/082；該發明授權基于MOS管的自適應偏置電壓優化方法及相關設備是由張西剛;李杲宇設計研發完成，并于2025-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于MOS管的自適應偏置電壓優化方法及相關設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于MOS管的自適應偏置電壓優化方法相關設備，應用于柵極驅動電路，包括以下步驟：對柵極驅動電路工作狀態下的目標MOS管進行實時監測，得到目標MOS管的工作參數；基于預設的偏置電壓需求預測模型，基于所述工作參數對所述目標MOS管進行偏置電壓需求預測，得到偏置電壓需求值；對所述偏置電壓需求值進行數字化信號處理，以轉化為控制信號；將所述控制信號施加在所述目標MOS管的柵極上，以動態調整所述目標MOS管的工作狀態，解決了在極端條件下，如高溫或重載情況下，固定偏置電壓可能導致MOS管過熱或開關損耗增加的技術問題。

本發明授權基于MOS管的自適應偏置電壓優化方法及相關設備在權利要求書中公布了：1.一種基于MOS管的自適應偏置電壓優化方法，其特征在于，應用于柵極驅動電路，包括以下步驟： 對柵極驅動電路工作狀態下的目標MOS管進行實時監測，得到目標MOS管的工作參數； 基于預設的偏置電壓需求預測模型，基于所述工作參數對所述目標MOS管進行偏置電壓需求預測，得到偏置電壓需求值； 對所述偏置電壓需求值進行數字化信號處理，以轉化為控制信號； 將所述控制信號施加在所述目標MOS管的柵極上，以動態調整所述目標MOS管的工作狀態； 所述對柵極驅動電路工作狀態下的目標MOS管進行實時監測，得到目標MOS管的工作參數，包括： 對柵極驅動電路工作狀態下的所述目標MOS管的柵極電壓、漏極電壓和漏極電流進行同步采樣，得到原始電氣信號數據集，所述電路工作狀態包括目標MOS管的開啟、放大及截止； 對所述原始電氣信號數據集進行時序處理，得到目標MOS管的開關頻率和占空比信息； 對所述目標MOS管進行表面溫度掃描，以計算所述目標MOS管的結溫數據； 采用滑動窗口法，基于所述開關頻率、占空比信息和結溫數據計算所述目標MOS管在不同時間段的運行參數統計值；其中，所述運行參數統計值包括平均柵源電壓、平均漏源電壓和平均漏極電流； 基于所述原始電氣信號數據集、開關頻率、占空比信息、結溫數據及參數統計值設定標準偏置電壓，并將所述原始電氣信號數據集、開關頻率、占空比信息、結溫數據、參數統計值及標準偏置電壓作為目標MOS管的工作參數。

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