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龍圖騰網(wǎng)獲悉石家莊銀河微波技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)的專利一種增益放大器及其封裝方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119967890B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510428226.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權(quán)一種增益放大器及其封裝方法是由耿東坡;趙松果;周再勖;趙志彬;徐天宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-04-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種增益放大器及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種增益放大器，包括增益放大器本體和封裝結(jié)構(gòu)；增益放大器本體包括輸入級(jí)芯片、增益級(jí)芯片、輸出級(jí)芯片和控制級(jí)芯片；封裝結(jié)構(gòu)包括多層的埋入式基板，埋入式基板的內(nèi)部形成有溝槽和通孔，溝槽和通孔周圍填充有吸波材料；輸入級(jí)芯片設(shè)置在埋入式基板的上表面一側(cè)且輸入級(jí)芯片的周圍設(shè)置有金屬屏蔽罩；增益級(jí)芯片堆疊在輸入級(jí)芯片之上且增益級(jí)芯片的表面涂覆有一層防輻射涂層；輸出級(jí)芯片位于增益級(jí)芯片之上且輸出級(jí)芯片的周圍設(shè)置有電磁屏蔽層；控制級(jí)芯片設(shè)置在輸出級(jí)芯片且控制級(jí)芯片的周圍設(shè)置有隔離帶；埋入式基板的上表面還形成有再分布線，再分布線周圍設(shè)置有防輻射保護(hù)環(huán)。本發(fā)明不但集成度高，而且可降低信號(hào)干擾。

本發(fā)明授權(quán)一種增益放大器及其封裝方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種增益放大器，其特征在于：包括增益放大器本體和用于封裝增益放大器本體的封裝結(jié)構(gòu)；所述增益放大器本體包括輸入級(jí)芯片、增益級(jí)芯片、輸出級(jí)芯片和控制級(jí)芯片； 所述輸入級(jí)芯片包括輸入級(jí)電路，增益級(jí)芯片包括可重構(gòu)電容陣列動(dòng)態(tài)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，輸出級(jí)芯片包括輸出級(jí)電路； 所述輸入級(jí)電路用于接收輸入信號(hào)，并將輸入信號(hào)進(jìn)行處理后輸出到可重構(gòu)電容陣列動(dòng)態(tài)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)； 所述可重構(gòu)電容陣列動(dòng)態(tài)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)包括變壓器和集成在變壓器中的可重構(gòu)電容陣列；所述可重構(gòu)電容陣列用于根據(jù)控制信號(hào)改變其電容值以改變匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性來影響增益放大器的增益； 所述輸出級(jí)電路用于接收經(jīng)過可重構(gòu)電容陣列動(dòng)態(tài)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)處理后的輸出信號(hào)并進(jìn)行放大輸出； 所述控制信號(hào)由外部的數(shù)字信號(hào)處理單元產(chǎn)生；所述數(shù)字信號(hào)處理單元與輸入級(jí)電路連接，數(shù)字信號(hào)處理單元用于根據(jù)輸入信號(hào)的特性生成控制信號(hào)；所述控制級(jí)芯片包括匹配網(wǎng)絡(luò)控制器，匹配網(wǎng)絡(luò)控制器與外部的數(shù)字信號(hào)處理單元和可重構(gòu)電容陣列連接，匹配網(wǎng)絡(luò)控制器用于將數(shù)字信號(hào)處理單元產(chǎn)生的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為適合可重構(gòu)電容陣列的電平信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)可重構(gòu)電容陣列實(shí)現(xiàn)電容通斷的控制； 所述封裝結(jié)構(gòu)包括多層的埋入式基板，埋入式基板的最下層設(shè)置有電源平面和地平面，埋入式基板的內(nèi)部形成有用于布線以將不同層之間的信號(hào)線路進(jìn)行連接的溝槽和通孔，溝槽和通孔周圍填充有用于吸收外界輻射干擾信號(hào)的吸波材料；所述輸入級(jí)芯片設(shè)置在埋入式基板的上表面一側(cè)并通過凸點(diǎn)與埋入式基板電氣連接，輸入級(jí)芯片的周圍設(shè)置有金屬屏蔽罩；增益級(jí)芯片堆疊在輸入級(jí)芯片之上且通過硅通孔與輸入級(jí)芯片進(jìn)行信號(hào)傳輸，增益級(jí)芯片的表面涂覆有一層防輻射涂層；輸出級(jí)芯片位于增益級(jí)芯片之上且通過硅通孔與增益級(jí)芯片連接，輸出級(jí)芯片的周圍設(shè)置有電磁屏蔽層；控制級(jí)芯片設(shè)置在輸出級(jí)芯片之上并通過金屬連線或硅通孔與增益級(jí)芯片通信連接，控制級(jí)芯片的周圍設(shè)置有隔離帶；所述埋入式基板的上表面還形成有與各芯片輸入輸出引腳連接的再分布線，再分布線周圍設(shè)置有防輻射保護(hù)環(huán)。

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