中國科學院長春光學精密機械與物理研究所陳洋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請的專利一種氮化物納米粒子陣列生長方法及應用、光電探測器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120072635B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510544293.8，技術領域涉及：H01L21/205；該發明授權一種氮化物納米粒子陣列生長方法及應用、光電探測器是由陳洋;孫曉娟;黎大兵;賁建偉;蔣科;張山麗;賈玉萍;王炳翔設計研發完成，并于2025-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化物納米粒子陣列生長方法及應用、光電探測器在說明書摘要公布了：本發明涉及氮化物納米粒子制備技術領域，提供了一種氮化物納米粒子陣列生長方法及應用、光電探測器。本發明利用二維材料刻蝕圖形邊界缺陷提供懸掛鍵，氮化物納米粒子在這些位置具有較低的形核能壘，且具有納米尺寸的二維材料圖形能夠保證金屬原子和氮原子在有效遷移長度內到達二維材料刻蝕圖形邊界，進而實現氮化物納米粒子的可控制備；在光電探測器結構上，設計了一種具有垂直結構的二維材料?氮化物范德華異質結，金屬電極分別位于這兩種材料上；范德華異質結結電場可實現光生電荷的自動分離和收集，在零偏壓下即可工作，具有自驅動光響應能力。該氮化物納米粒子陣列生長方法為高集成度、高靈敏度和自驅動型光電探測器制備提供了有效途徑。
本發明授權一種氮化物納米粒子陣列生長方法及應用、光電探測器在權利要求書中公布了：1.一種氮化物納米粒子陣列生長方法，其特征在于，包括以下步驟： 在襯底表面生長n型摻雜氮化物外延層； 在所述n型摻雜氮化物外延層上生長二維材料層； 對所述二維材料層進行納米圖形加工，以形成納米陣列排布的二維材料層； 在納米陣列排布的二維材料層邊緣生長氮化物納米粒子；具體包括： 將形成有納米陣列排布的二維材料層的襯底置于反應腔內，先向反應腔內通入TMGa源形成Ga金屬液滴并吸附到納米陣列排布的二維材料層邊緣，關閉TMGa源后，再通入NH3進行化學反應，在納米陣列排布的二維材料層邊緣形成GaN納米粒子陣列。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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