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龍圖騰網獲悉北京青耘科技有限公司申請的專利用于測量晶圓鍵合強度的半導體結構及測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120184034B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510660361.7，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權用于測量晶圓鍵合強度的半導體結構及測量方法是由繆威設計研發完成，并于2025-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于測量晶圓鍵合強度的半導體結構及測量方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種用于測量晶圓鍵合強度的半導體結構及測量方法，所述測量方法：在第一晶圓內形成貫穿部分第一側面和部分第一鍵合面的第一測量通道，在第二晶圓內形成貫穿部分第二側面和部分第二鍵合面第二測量通道；將第一晶圓和第二晶圓通過第一鍵合層和第二鍵合層進行鍵合后，第一測量通道和第二測量通道在第一鍵合面上的投影重合；測量刀具穿過第一測量通道和第二測量通道，插入第一目標位置和第二目標位置之間，使第一晶圓的第一目標位置和第二晶圓的第二目標位置之間產生裂紋，通過測量裂紋的長度，基于長度計算獲得第一晶圓的第一目標位置和第二晶圓的第二目標位置之間的鍵合強度。實現對鍵合晶圓的鍵合面的中心區域的鍵合強度進行測量。

本發明授權用于測量晶圓鍵合強度的半導體結構及測量方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓鍵合強度的測量方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圓，所述第一晶圓包括第一側面及相背離的第一鍵合面和第一背面； 提供第二晶圓，所述第二晶圓包括第二側面及相背離的第二鍵合面和第二背面； 在所述第一晶圓內形成第一測量通道，所述第一測量通道貫穿部分所述第一側面及部分所述第一鍵合面，并由所述第一側面延伸至所述第一鍵合面上的第一目標位置； 在所述第二晶圓內形成第二測量通道，所述第二測量通道貫穿部分所述第二側面和部分所述第二鍵合面，并由所述第二側面延伸至所述第二鍵合面上的第二目標位置； 在所述第一晶圓的第一鍵合面和第一測量通道上形成第一鍵合層； 在所述第二晶圓的第二鍵合面和第二測量通道上形成第二鍵合層； 將所述第一鍵合層和所述第二鍵合層鍵合，所述第一測量通道和所述第二測量通道在所述第一鍵合面上的投影重合； 提供測量刀具，控制所述測量刀具穿過所述第一測量通道和所述第二測量通道后，插入所述第一目標位置和所述第二目標位置之間，使得所述第一晶圓和所述第二晶圓之間產生裂紋； 測量所述裂紋的長度，采用裂紋傳播法基于所述長度計算獲得所述第一目標位置和所述第二目標位置之間的鍵合強度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京青耘科技有限公司，其通訊地址為：100089 北京市海淀區中關村大街18號11層1119-38；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。