長春理工大學汪劍波獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長春理工大學申請的專利一種調制器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120276177B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510781661.0，技術領域涉及：G02F1/015；該發明授權一種調制器及制備方法是由汪劍波;馮若男;譚勇;于淼;劉春宇;張燁;趙猛設計研發完成，并于2025-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種調制器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及光學器件技術領域，具體涉及一種調制器及制備方法，一種調制器包括襯底層和在襯底層上交叉設置的n層SiO2層和n層GST層，其中襯底層上至底向上第一層為GST層；調制器中還包括設置n個GST層上對應布設的a個電極；a=n=3。交叉設置的n層SiO2層和n層GST層從上至下分別為：第三SiO2層、第三GST層、第二SiO2層、第二GST層、第一SiO2層以及第一GST層。本發明通過逐層對GST層相變結晶化，使調制器在紅外波段的透射率逐漸降低，調制深度也成階梯式變化，全晶態與全非晶態GST結構對應的調制深度高于80%。
本發明授權一種調制器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種調制器，其特征在于，包括襯底層和在襯底層上交叉設置的n層SiO2層和n層GST層，其中襯底層上至底向上第一層為GST層；調制器中還包括設置n個GST層上對應布設的a層電極； 具體地：n=a=3，交叉設置的n層SiO2層和n層GST層從上至下分別為：第三SiO2層、第三GST層、第二SiO2層、第二GST層、第一SiO2層以及第一GST層，且高度自下而上分別為50nm、150nm、50nm、50nm、150nm、50nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長春理工大學，其通訊地址為：130022 吉林省長春市衛星路7089號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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