藍河科技(紹興)有限公司劉永明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉藍河科技(紹興)有限公司申請的專利一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120311308B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510812035.3，技術領域涉及：C30B25/18；該發明授權一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法是由劉永明;鞏前程設計研發完成，并于2025-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法。在步驟S1所限定的不低于1500℃的預定溫度及不低于50mbar的預定壓力條件下，通過步驟S2通入氫氣對摻雜碳化硅襯底進行刻蝕；在該步驟通入不低于氫氣流量0.06%的摻雜源氣，調節氫氣分子與襯底之間碰撞頻率，減少或避免氫氣刻蝕可能導致過度去除襯底原子層的情況。在步驟S3中，在通入氫氣和摻雜源氣的基礎上，通入不超過氫氣流量0.4%的含氯氣體配合氫氣精細化刻蝕，并增強刻蝕下來的碳、硅的遷移率，避免在襯底上形成硅團簇，通入不超過氫氣流量0.04%的含碳源氣，利用碳原子遷移填補因刻蝕造成的碳空位，減少晶格缺陷引起的深能級陷阱。
本發明授權一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法在權利要求書中公布了：1.一種降低原生缺陷的碳化硅外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：將摻雜碳化硅襯底置于反應腔室內，向所述反應腔室內通入氫氣，控制所述反應腔室內達到不低于1500℃的預定溫度及不低于50mbar的預定壓力； S2：調整通入所述氫氣的流量為第一流量，以不低于所述第一流量0.06%的第二流量向所述反應腔室內通入摻雜源氣，以對所述碳化硅襯底進行第一表面預處理； S3：保持所述第一流量不變，調整所述第二流量不低于所述第一流量的0.3%，向所述反應腔室內以不超過所述第一流量0.4%的第三流量通入含氯氣體，以不超過所述第一流量0.04%的第四流量通入含碳源氣，以在經步驟S2得到的襯底表面進行第二表面預處理； S4：向所述反應腔室內通入所述氫氣、所述摻雜源氣、含硅源氣、所述含碳源氣和所述含氯氣體，以在經步驟S3得到的襯底表面生長摻雜緩沖層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人藍河科技(紹興)有限公司，其通訊地址為：311800 浙江省紹興市諸暨市陶朱街道萬旺路8號1號樓1樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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