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龍圖騰網獲悉無錫中微愛芯電子有限公司申請的專利一種高電源抑制比的單端轉差分放大器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120415339B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510900382.1，技術領域涉及：H03F1/30；該發明授權一種高電源抑制比的單端轉差分放大器是由楊悅;權磊;李文嘉;羅晟;陳峰設計研發完成，并于2025-07-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高電源抑制比的單端轉差分放大器在說明書摘要公布了：本發明屬于模擬集成電路技術領域，特別涉及一種高電源抑制比的單端轉差分放大器。包括第一級反相放大器、第二級反相放大器和帶隙基準BG；電流鏡電路，所述電流鏡電路的輸入端接入所述帶隙基準BG的輸出端，緩沖器BUF1，所述緩沖器BUF1的輸入端接入所述帶隙基準BG的輸出端，所述緩沖器BUF1的輸出端接入PMOS管PM1的源極；延時單元delay，所述延時單元delay的輸入端與所述帶隙基準BG的輸入端相連并接入使能信號EN，所述延時單元delay的輸出端接入PMOS管PM1的柵極。本發明提高了對電源紋波或干擾的抑制能力，使單端轉差分放大器電路具有較高的電源抑制比。

本發明授權一種高電源抑制比的單端轉差分放大器在權利要求書中公布了：1.一種高電源抑制比的單端轉差分放大器，包括第一級反相放大器、第二級反相放大器和帶隙基準BG；其特征在于，還包括： 電流鏡電路，所述電流鏡電路的輸入端接入所述帶隙基準BG的輸出端，所述電流鏡電路的輸出端接入PMOS管PM1的漏極以及所述第一級反相放大器和所述第二級反相放大器的同相輸入端；所述電流鏡電路包括：PMOS管PM2~PM3、NMOS管NM1~NM2和電流源IB；所述電流源IB的一端與電源VCC相連，另一端與NMOS管NM1的漏極和NMOS管NM1~NM2的柵極相連，所述NMOS管NM1~NM2的源極接地GND；NMOS管NM2的漏極與PMOS管PM2的漏極和PMOS管PM2~PM3的柵極相連，所述PMOS管PM2~PM3的源極作為所述電流鏡電路的輸入端；PMOS管PM3的漏極作為所述電流鏡電路的輸出端； 緩沖器BUF1，所述緩沖器BUF1的輸入端接入所述帶隙基準BG的輸出端，所述緩沖器BUF1的輸出端接入PMOS管PM1的源極； 延時單元delay，所述延時單元delay的輸入端與所述帶隙基準BG的輸入端相連并接入使能信號EN，所述延時單元delay的輸出端接入PMOS管PM1的柵極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫中微愛芯電子有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市新吳區菱湖大道111號軟件園四期天鵝座C座802-1；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。