臺灣積體電路制造股份有限公司楊柏峰獲國家專利權(quán)
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！
龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件和方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114664930B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210353532.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/13；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和方法是由楊柏峰;張哲誠;巫柏奇設(shè)計研發(fā)完成，并于2017-12-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體器件和方法在說明書摘要公布了：提供了制造工藝和器件，其中，在襯底內(nèi)形成第一開口。使用第二蝕刻工藝將第一開口重塑為第二開口。利用自由基蝕刻實施第二蝕刻工藝，其中，自由基蝕刻利用中性離子。因此，減小襯底的推動。本發(fā)明的實施例還涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 第一半導(dǎo)體鰭，位于襯底上方； 柵極堆疊件，位于所述第一半導(dǎo)體鰭上面； 第一間隔件，位于所述柵極堆疊件的側(cè)壁上；以及 第一開口，位于所述第一半導(dǎo)體鰭內(nèi)并且底切所述第一間隔件，所述第一開口的表面鄰近距離與尖端鄰近距離具有小于3nm的差異，如果參考線與所述柵極堆疊件的側(cè)壁對準，沿著所述第一半導(dǎo)體鰭的頂面從參考線至鄰近于所述第一開口的所述第一半導(dǎo)體鰭的尖端測量第一距離以獲得所述尖端鄰近距離，在所述第一半導(dǎo)體鰭的中間高度處從所述參考線至所述第一開口周圍所述第一間隔件的外邊緣測量第二距離以獲得所述表面鄰近距離； 位于所述襯底上方的第二半導(dǎo)體鰭內(nèi)的第二開口，其中，所述第一開口具有第一深度，所述第二開口具有與所述第一深度不同的第二深度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
免責聲明
1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數(shù)據(jù)共享
功能齊全
皖公網(wǎng)安備 34010402703815號