三菱電機株式會社中野誠也獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利肖特基勢壘二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114930546B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080092316.1，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權肖特基勢壘二極管是由中野誠也;友松佳史;阿多保夫設計研發完成，并于2020-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本肖特基勢壘二極管在說明書摘要公布了：本發明涉及的肖特基勢壘二極管具有：n型的半導體基板；至少1個p型的保護環，其設置于半導體基板的上表面側；陽極電極，其設置于半導體基板的上表面；陰極電極，其設置于半導體基板的背面；以及絕緣膜，其設置于至少1個保護環中的最內側的內側保護環之上，陽極電極搭至絕緣膜之上，陽極電極的端部設置于內側保護環的正上方，陽極電極與內側保護環分離地設置，絕緣膜的厚度大于或等于1.0μm。
本發明授權肖特基勢壘二極管在權利要求書中公布了：1.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，具有： n型的半導體基板； 至少1個p型的保護環，其設置于所述半導體基板的上表面側； 絕緣膜，其設置于所述至少1個保護環中的最內側的內側保護環之上； 陽極電極，其設置于所述半導體基板的上表面，搭至所述絕緣膜之上； 陰極電極，其設置于所述半導體基板的背面；以及 高電阻層，其電阻高于所述內側保護環，將所述內側保護環與所述陽極電極隔開， 所述高電阻層具有在所述半導體基板的上表面中的比所述絕緣膜更靠內側處設置的電阻體， 所述內側保護環在端部中的設置于所述半導體基板的內側的那一側具有從所述絕緣膜露出的露出部， 所述電阻體將所述露出部整體覆蓋。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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