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龍圖騰網獲悉株式會社半導體能源研究所申請的專利半導體裝置以及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113557608B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080020164.4，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法是由山崎舜平;掛端哲彌;佐藤優一;芝崎篤;種村和幸;廣瀨貴史設計研發完成，并于2020-03-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種晶體管特性偏差小的半導體裝置。該半導體裝置包括如下制造步驟：形成第一至第三絕緣體；在第三絕緣體上依次形成第四絕緣體、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一導電膜、第一絕緣膜、第二導電膜；將其加工為島狀而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物層、第一導電層、第一絕緣層、第二導電層；去除第二導電層；在第四絕緣體、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物層、第一導電層、第一絕緣層上形成第五及第六絕緣體；通過形成到達第二氧化物的開口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一導電體、第二導電體、第七絕緣體、第八絕緣體；在開口中形成第五氧化物、第九絕緣體、第三導電體，其中第五絕緣體利用偏壓濺射法形成。

本發明授權半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟： 依次形成第一絕緣體至第三絕緣體； 在所述第三絕緣體上依次形成第四絕緣體、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一導電膜、第一絕緣膜、第二導電膜； 將所述第一氧化膜、所述第二氧化膜、所述第三氧化膜、所述第一導電膜、所述第一絕緣膜及所述第二導電膜加工為島狀而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物層、第一導電層、第一絕緣層、第二導電層； 去除所述第二導電層； 在所述第四絕緣體、所述第一氧化物、所述第二氧化物、所述第一氧化物層、所述第一導電層及所述第一絕緣層上形成第五絕緣體； 在所述第五絕緣體上形成第六絕緣體； 在所述第一氧化物層、所述第一導電層、所述第一絕緣層、所述第五絕緣體及所述第六絕緣體中形成到達所述第二氧化物的開口； 通過形成所述開口，從所述第一氧化物層形成第三氧化物及第四氧化物，從所述第一導電層形成第一導電體及第二導電體，從所述第一絕緣層形成第七絕緣體及第八絕緣體；以及 在所述開口中形成第五氧化物、所述第五氧化物上的第九絕緣體、所述第九絕緣體上的第三導電體， 其中，所述第五絕緣體利用在含氧氣氛下施加RF功率的濺射法形成。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社半導體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。