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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113764281B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010847981.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件及其形成方法是由陳正龍設計研發完成，并于2020-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其形成方法。一種方法包括：在半導體襯底中形成具有第一導電類型的第一雜質的第一類型深阱；將第二導電類型的第二雜質摻雜到第一類型深阱中，以形成第二類型摻雜區域，其中，第一類型深阱中的第一雜質的濃度高于第二類型摻雜區域中的第二雜質的濃度，并且低于第二類型摻雜區域中第二雜質的濃度的十倍；形成部分嵌入在半導體襯底中的場氧化物，該場氧化物從第二類型摻雜區域的第一側橫向延伸；在第一類型深阱中并且在第二類型摻雜區域的與第二類型摻雜區域的第一側相對的第二側形成第二導電類型的第二類型阱。

本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造半導體器件的方法，包括： 在半導體襯底中形成具有第一導電類型的第一雜質的第一類型深阱； 將第二導電類型的第二雜質摻雜到所述第一類型深阱中，以形成第二類型摻雜區域，其中，所述第一類型深阱中的所述第一雜質的濃度高于所述第二類型摻雜區域中的所述第二雜質的濃度，但是低于所述第二類型摻雜區域中的所述第二雜質的濃度的十倍； 形成部分嵌入在所述半導體襯底中的場氧化物，所述場氧化物從所述第二類型摻雜區域的第一側橫向延伸； 在所述第一類型深阱中并且在所述第二類型摻雜區域的與所述第二類型摻雜區域的所述第一側相對的第二側上形成所述第二導電類型的第二類型阱； 形成橫向延伸超過所述第二類型摻雜區域的所述第一側和所述第二側的柵極結構；以及 在所述第二類型阱中形成源極區域，并且在所述第一類型深阱中形成漏極區域，其中，所述場氧化物在所述第二類型摻雜區域和所述漏極區域之間橫向延伸， 其中，所述方法還包括：在摻雜所述第二雜質之后并且在形成所述場氧化物之前，對所述半導體襯底進行退火， 其中，在對所述半導體襯底進行退火完成之后，所述場氧化物正下方的所述第一類型深阱的最底部位置低于所述第二類型摻雜區域正下方的所述第一類型深阱的最底部位置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司;臺積電(中國)有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。