中芯北方集成電路制造(北京)有限公司蔡巧明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯北方集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497211B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011148796.7，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蔡巧明設計研發完成，并于2020-10-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供襯底，所述襯底包括第一區；在所述第一區上形成第一柵極；在所述第一柵極上形成兩個以上的第二柵極結構，所述第二柵極結構包括第二柵極，所述第二柵極和第一柵極的材料不同，所述第二柵極結構位于所述第一柵極上部，用于保護所述第一柵極，在機械化學研磨的過程中，不容易產生“凹陷”缺陷，達到改善所述第一柵極結構完整性的目的，從而得到性能更優化的柵極結構。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一區； 位于所述第一區上的第一柵極； 位于部分所述第一柵極上的兩個以上的第二柵極結構，所述第二柵極結構包括第二柵極，所述第二柵極和第一柵極的材料不同； 位于所述第一柵極表面的改性層，所述改性層位于所述第二柵極結構之間； 位于所述改性層表面的導電插塞。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號9幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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