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龍圖騰網獲悉德州儀器公司申請的專利用于數字材料沉積到半導體晶片上的方法及設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114787965B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080086261.3，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權用于數字材料沉積到半導體晶片上的方法及設備是由D·L·雷維爾;S·P·張;B·S·庫克;S·R·薩默菲爾德設計研發完成，并于2020-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于數字材料沉積到半導體晶片上的方法及設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種微電子裝置100，其是通過在晶片101處于允許光致抗蝕劑樹脂達到小于10％厚度非均勻性的第一溫度下時將所述光致抗蝕劑樹脂與溶劑的混合物109的離散量從按需液滴位點108施配到所述晶片101上以形成第一光致抗蝕劑子層112來形成。所述晶片101在所述按需液滴位點108下方在第一方向上移動以形成所述第一光致抗蝕劑子層112。移除所述第一光致抗蝕劑子層112中的所述溶劑的部分。當所述晶片101處于在經組合第一112及第二光致抗蝕劑子層中達到小于10％厚度非均勻性的第二溫度下時，第二光致抗蝕劑子層使用所述按需液滴位點108形成于所述第一光致抗蝕劑子層112上。所述晶片101在所述按需液滴位點108下方在所述第二光致抗蝕劑子層的與所述第一方向相反的第二方向上移動。

本發明授權用于數字材料沉積到半導體晶片上的方法及設備在權利要求書中公布了：1.一種形成微電子裝置的方法，其包括： 提供具有具橫向周邊的第一表面的晶片，其中橫向是指平行于所述第一表面的方向，其中所述第一表面在所述晶片的橫向周邊處不會延伸到所述晶片的彎曲表面上，所述第一表面具有不會延伸到所述橫向周邊的涂層區； 提供按需液滴位點，所述按需液滴位點經配置以將光致抗蝕劑樹脂與溶劑的混合物的液滴施配到所述晶片上，所述混合物具有2厘泊cp到20cp的粘度且具有10重量百分比到20重量百分比的光致抗蝕劑樹脂含量，其中所述混合物的剩余物基本上由溶劑組成； 將所述晶片加熱到在第一溫度范圍內的溫度； 當所述晶片在所述第一溫度范圍內時在所述按需液滴位點下方在第一方向上移動所述晶片，并將光致抗蝕劑樹脂與溶劑的所述混合物的第一離散量從所述按需液滴位點施配到所述晶片上以在所述晶片上形成光致抗蝕劑層的第一光致抗蝕劑子層，所述第一光致抗蝕劑子層是連續的，所述第一光致抗蝕劑子層覆蓋所述涂層區； 在施配光致抗蝕劑樹脂與溶劑的所述混合物的所述第一離散量之后，當所述晶片處于所述第一溫度范圍內時從所述第一光致抗蝕劑子層移除所述溶劑的部分；及 在從所述第一光致抗蝕劑子層移除所述溶劑的所述部分之后，當所述晶片在第二溫度范圍內時在所述按需液滴位點下方在與所述第一方向相反的第二方向上移動所述晶片，并將光致抗蝕劑樹脂與溶劑的所述混合物的第二離散量從所述按需液滴位點施配到所述晶片上以在所述第一光致抗蝕劑子層上形成所述光致抗蝕劑層的第二光致抗蝕劑子層，所述第二光致抗蝕劑子層是連續的，所述第二光致抗蝕劑子層覆蓋所述涂層區。

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