北京時代全芯存儲技術股份有限公司;江蘇時代芯存半導體有限公司劉峻志獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京時代全芯存儲技術股份有限公司;江蘇時代芯存半導體有限公司申請的專利內存單元及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114762044B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980101738.8，技術領域涉及：G11C11/00；該發明授權內存單元及其制造方法是由劉峻志;廖昱程;邱泓瑜;李宜政設計研發完成，并于2019-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本內存單元及其制造方法在說明書摘要公布了：一種內存單元，包含主動組件10、電極20a，20b、加熱單元30以及相變化單元40。電極20a，20b耦接于主動組件10，且電極20a，20b與該主動組件10位于同一層。加熱單元30形成于電極20a，20b上方，且加熱單元30耦接于電極20a，20b。相變化單元40耦接于加熱單元30，其中相變化單元40形成于主動組件10上方，且相變化單元40與主動組件10并聯。
本發明授權內存單元及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種內存單元，包含： 主動組件； 兩個電極，耦接于該主動組件，且該兩個電極與該主動組件位于同一層； 兩個加熱單元，且該兩個加熱單元分別耦接于該兩個電極，該兩個加熱單元的頂面位于同一水平高度； 相變化單元，耦接于該兩個加熱單元，該相變化單元形成于該主動組件上方，且該相變化單元與該主動組件并聯，該相變化單元耦接于該兩個加熱單元各自的側面；以及 兩個熱絕緣單元，該兩個熱絕緣單元分別形成于該兩個加熱單元上方，且該相變化單元接觸該兩個熱絕緣單元各自的側面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京時代全芯存儲技術股份有限公司;江蘇時代芯存半導體有限公司，其通訊地址為：100094 北京市海淀區豐豪東路9號院中關村集成電路設計園2D座802；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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