臺灣積體電路制造股份有限公司朱峯慶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件和形成半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113284850B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110184533.X，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體器件和形成半導體器件的方法是由朱峯慶;李威養;楊豐誠;陳燕銘設計研發完成，并于2021-02-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件和形成半導體器件的方法在說明書摘要公布了：公開了用于實施預清潔工藝以去除半導體器件中的氧化物的方法以及由相同方法形成的半導體器件。在實施例中，方法包括：在半導體襯底上方形成淺溝槽隔離區域；在淺溝槽隔離區域上方形成柵極堆疊件；使用各向異性蝕刻工藝蝕刻與柵極堆疊件相鄰的淺溝槽隔離區域；以及在用各向異性蝕刻工藝蝕刻淺溝槽隔離區域之后，用各向同性蝕刻工藝蝕刻淺溝槽隔離區域，用于各向同性蝕刻工藝的工藝氣體包括氟化氫HF和氨NH3。本申請的實施例還涉及半導體器件和形成半導體器件的方法。
本發明授權半導體器件和形成半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，包括： 在半導體襯底上方形成淺溝槽隔離區域； 在所述淺溝槽隔離區域上方形成柵極堆疊件； 使用各向異性蝕刻工藝蝕刻與所述柵極堆疊件相鄰的所述淺溝槽隔離區域，其中，使用所述各向異性蝕刻工藝蝕刻所述淺溝槽隔離區域，在所述淺溝槽隔離區域中形成第一圓形輪廓，所述第一圓形輪廓至所述淺溝槽隔離區域的頂面下方的第一深度；以及 在用所述各向異性蝕刻工藝蝕刻所述淺溝槽隔離區域之后，用各向同性蝕刻工藝蝕刻所述淺溝槽隔離區域，其中，用于所述各向同性蝕刻工藝的工藝氣體包括氟化氫HF和氨NH3，其中，用所述各向同性蝕刻工藝蝕刻所述淺溝槽隔離區域，在所述淺溝槽隔離區域中形成第二圓形輪廓和第三圓形輪廓，所述第二圓形輪廓至所述淺溝槽隔離區域的頂面下方的所述第一深度，并且所述第三圓形輪廓從所述第二圓形輪廓延伸至所述淺溝槽隔離區域的頂面下方的第二深度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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