中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司羅浩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利SOI襯底、SOI器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440790B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110618751.X，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權SOI襯底、SOI器件及其形成方法是由羅浩設計研發完成，并于2021-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本SOI襯底、SOI器件及其形成方法在說明書摘要公布了：一種SOI襯底、SOI器件及其形成方法，所述SOI襯底包括：底部硅層；位于所述底部硅層上的埋入氧化層；位于所述埋入氧化層中的復合中心層；所述復合中心層的頂部表面與所述埋入氧化層的頂部表面齊平；位于所述埋入氧化層和所述復合中心層上的頂部硅層；所述頂部硅層具有有源區，所述有源區中后續形成有源漏摻雜區，所述復合中心層位于后續形成的源漏摻雜區的下方，所述復合中心層用于吸附后續形成的中性區中的電荷并導出。上述的方案，可以有效抑制浮體效應，提高所形成的SOI器件的性能。
本發明授權SOI襯底、SOI器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種SOI襯底，其特征在于，包括： 底部硅層； 位于所述底部硅層上的埋入氧化層； 位于所述埋入氧化層中的復合中心層；所述復合中心層的頂部表面與所述埋入氧化層的頂部表面齊平，且所述復合中心層的厚度小于所述埋入氧化層的厚度； 位于所述埋入氧化層和所述復合中心層上的頂部硅層；所述頂部硅層具有有源區，所述有源區中后續形成有源漏摻雜區，所述復合中心層位于后續形成的源漏摻雜區的下方，所述復合中心層用于吸附后續形成的中性體區中的電荷并通過所述源區導出。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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