株式會社迪思科服部奈緒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社迪思科申請的專利器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113823594B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110642440.7，技術領域涉及：H01L21/78；該發明授權器件的制造方法是由服部奈緒;武田昇設計研發完成，并于2021-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供器件的制造方法，能夠抑制從基板剝離時對光器件層造成損傷。器件的制造方法包含：帶粘貼步驟101，在光器件晶片的光器件層的正面上粘貼具有伸縮性的帶；分割起點形成步驟102，將聚光點定位于光器件層的內部而照射對于光器件層具有透過性的波長的激光束，從而形成分割起點；緩沖層破壞步驟103，從光器件晶片的外延基板的背面側照射對于外延基板具有透過性且對于緩沖層具有吸收性的波長的激光束，從而將緩沖層破壞；剝離步驟104，將外延基板從光器件層剝離；以及分割步驟105，通過對帶施加外力而沿著分割起點將光器件層分割。
本發明授權器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種器件的制造方法，將在外延基板的正面上隔著緩沖層而層疊有光器件層的光器件晶片的光器件層轉移到移設部件上而制造LED器件，其特征在于， 該器件的制造方法包含如下的步驟： 帶粘貼步驟，在該光器件晶片的光器件層的正面上粘貼具有伸縮性的帶； 分割起點形成步驟，在該帶粘貼步驟之前或之后，將聚光點定位于該光器件層的內部而照射對于該光器件層具有透過性的波長的激光束從而形成分割起點； 緩沖層破壞步驟，在該帶粘貼步驟和該分割起點形成步驟之后，從該光器件晶片的外延基板的背面側照射對于該外延基板具有透過性且對于緩沖層具有吸收性的波長的激光束，將該緩沖層破壞； 剝離步驟，在該緩沖層破壞步驟之后，將該外延基板從該光器件層剝離；以及 分割步驟，在該剝離步驟之后，對該帶施加外力從而沿著分割起點將該光器件層分割。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社迪思科，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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