株式會社日立高新技術吉田雄祐獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社日立高新技術申請的專利真空處理裝置和真空處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113851391B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110688902.9，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權真空處理裝置和真空處理方法是由吉田雄祐;中元茂;福地功祐;朝倉涼次設計研發完成，并于2021-06-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本真空處理裝置和真空處理方法在說明書摘要公布了：一種真空處理裝置，包括：處理單元，包括：設置在真空容器中的處理室；檢測器，使用來自晶片的光在處理晶片期間檢測晶片上的對象膜的厚度或終點，該檢測器通過將預先獲得的數據模式與真實數據模式進行比較來檢測厚度或終點，預先獲得的數據模式指示與膜厚度相關的多個波長的光強度并使用波長作為參數，真實數據模式指示在處理期間在特定時間獲得的所述多個波長的光強度，并且數據模式是通過將所述多個波長的光強度的時間序列數據的微分系數值除以指示所述多個波長的光強度值的時間序列數據而獲得的。
本發明授權真空處理裝置和真空處理方法在權利要求書中公布了：1.一種真空處理裝置，包括： 處理單元，包括： 處理室，設置在真空容器中，并且其中形成有等離子體； 樣品臺，設置在所述處理室中形成了所述等離子體的空間的下方，并且所述樣品臺的上表面上安裝有具有處理對象膜的晶片； 光接收單元，設置在所述處理室上方，并且被配置為在使用所述等離子體處理所述晶片期間接收來自所述晶片的光；以及 檢測器，連接到所述光接收單元，并且被配置為檢測所述處理期間所述處理對象膜的厚度或所述處理的終點的到達，其中， 所述檢測器被配置為：通過將標準模式與真實模式進行比較來檢測所述處理對象膜的厚度，在所述標準模式中，將預先獲得的相對于所述處理對象膜的厚度變化的、與多個波長的光的強度相關的預定值的波長用作參數，所述真實模式是在所述處理期間在特定時間獲得的與所述多個波長的光的強度相關的預定值的真實模式，以及 通過將所述多個波長的光的強度的時間序列數據的微分系數值除以指示所述多個波長的光的強度值的時間序列數據，來獲得與光的強度相關的預定值。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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