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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制備方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115568211B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110753761.4，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構是由吳公一;王曉玲設計研發完成，并于2021-07-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的制備方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種半導體結構的制備方法及半導體結構，涉及半導體技術領域，該半導體結構的制備方法包括提供基底；在基底上形成多個初始有源柱；在初始有源柱之間形成柵極層；在柵極層和初始有源柱上形成第一介質層；在第一介質層內形成多個開口；通過開口去除部分初始有源柱以形成有源柱；去除部分柵極層以形成隔離溝槽和字線，使位于同一行上相鄰兩個有源柱位于隔離溝槽的兩側。本公開通過使同一行中相鄰的兩個有源柱分隔在隔離結構的兩側，增加了相鄰字線上位于同一列的兩個有源柱之間的間距，降低了相鄰字線之間的信號干擾，提高了半導體結構的性能。

本發明授權半導體結構的制備方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成多個初始有源柱，多個所述初始有源柱呈陣列排布； 在所述初始有源柱之間形成柵極層，所述柵極層與所述初始有源柱的側壁相連； 在所述柵極層和所述初始有源柱上形成第一介質層； 在所述第一介質層內形成沿所述初始有源柱行排列方向延伸的開口，所述開口在所述基底上的投影與同一行上所述初始有源柱在所述基底上的投影部分重合，且同一行上相鄰兩個所述初始有源柱在所述基底上的投影與所述開口在所述基底上的投影未重合的部分分別位于所述開口的兩側； 去除暴露在所述開口內的初始有源柱以形成有源柱；以及去除暴露在所述開口內的所述柵極層以形成隔離溝槽和字線，其中，位于同一行上相鄰兩個所述有源柱位于所述隔離溝槽的兩側； 所述提供基底的步驟之后，在所述基底上形成多個所述初始有源柱的步驟之前，所述制備方法還包括： 在所述基底內形成多條位線結構，多條所述位線結構在所述基底上沿所述有源柱的行方向間隔排布，其中，所述位線結構包括位線以及設置在所述位線上的位線接觸部，所述位線接觸部的頂面與所述基底的頂面平齊； 所述在所述基底上形成多個初始有源柱的步驟中，包括： 在所述基底上依次形成層疊設置的第二介質層和第一掩膜層； 去除部分所述第一掩膜層和部分所述第二介質層，以形成多個間隔設置的第二凹槽，每個所述第二凹槽暴露出所述位線結構的頂面； 在所述第二凹槽內形成初始有源柱，所述初始有源柱包括溝道區以及分別設置在所述溝道區兩端的源極和漏極。

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