長鑫存儲技術有限公司夏軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116096071B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111298101.8，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其制備方法是由夏軍;白世杰設計研發完成，并于2021-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種半導體結構及其制備方法，其中，所述半導體結構的制備方法包括：在具有陣列區域和外圍區域的基底上形成疊層結構；在所述疊層結構上形成第一掩膜層；其中，對應于所述陣列區域的所述第一掩膜層具有第一圖案；對所述陣列區域上的第一掩膜層進行離子摻雜，得到摻雜后的第一掩膜層；通過所述摻雜后的第一掩膜層刻蝕所述疊層結構，以將所述第一圖案轉移至所述疊層結構中。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括： 在具有陣列區域和外圍區域的基底上形成疊層結構； 在所述疊層結構上形成第一掩膜層；其中，對應于所述陣列區域的所述第一掩膜層具有第一圖案，所述第一圖案為電容孔圖案，且所述基底中形成有與所述電容孔圖案相對應的接觸結構； 對所述陣列區域上的第一掩膜層進行離子摻雜，得到摻雜后的第一掩膜層； 通過所述摻雜后的第一掩膜層刻蝕所述疊層結構，以將所述第一圖案轉移至所述疊層結構中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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