美光科技公司P·S·阮獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉美光科技公司申請的專利用以讀取經(jīng)由交錯式兩遍數(shù)據(jù)編程技術(shù)粗略編程的存儲器單元的簡化操作獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114649039B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111418849.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C16/34;該發(fā)明授權(quán)用以讀取經(jīng)由交錯式兩遍數(shù)據(jù)編程技術(shù)粗略編程的存儲器單元的簡化操作是由P·S·阮;J·菲茲帕特里克;K·K·姆奇爾拉設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-11-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本用以讀取經(jīng)由交錯式兩遍數(shù)據(jù)編程技術(shù)粗略編程的存儲器單元的簡化操作在說明書摘要公布了:本申請案中的實(shí)施例涉及用以讀取經(jīng)由交錯式兩遍數(shù)據(jù)編程技術(shù)粗略編程的存儲器單元的簡化操作。存儲器系統(tǒng)用以在存儲器單元中存儲多個數(shù)據(jù)位。在接收到所述數(shù)據(jù)位之后,存儲器裝置根據(jù)位值的組合與閾值電平之間的映射將所述存儲器單元的閾值電壓粗略地編程到表示位值的組合的第一電平。所述閾值電平被分成多個組,每一組含有所述閾值電平的子集。為所述存儲器單元確定所述多個組當(dāng)中含有所述第一電平的第一組的組標(biāo)識。所述存儲器裝置使用所述組標(biāo)識從所述第一存儲器單元讀回所述數(shù)據(jù)位的子集,并且將所述組標(biāo)識的所述位與所述子集組合以恢復(fù)整個數(shù)據(jù)位集以精細(xì)編程所述存儲器單元的所述閾值電壓以表示所述數(shù)據(jù)位。
本發(fā)明授權(quán)用以讀取經(jīng)由交錯式兩遍數(shù)據(jù)編程技術(shù)粗略編程的存儲器單元的簡化操作在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于存儲器單元的兩遍編程的方法,其包括: 接收第一數(shù)目個數(shù)據(jù)位; 根據(jù)所述第一數(shù)目個數(shù)據(jù)位中的位的值的組合與閾值電平之間的第一映射,將第一存儲器單元的閾值電壓編程到表示所述數(shù)據(jù)位的值的組合的第一電平,所述閾值電平中的每一個在多個組中的一組中,所述多個組中的每一組含有所述閾值電平的子集; 計算所述多個組當(dāng)中的第一組的組標(biāo)識,所述第一組含有所述第一電平,所述組標(biāo)識具有至少兩個位; 基于所述組標(biāo)識,讀取具有經(jīng)編程到所述第一電平的所述閾值電壓的所述第一存儲器單元以獲得第二數(shù)目個數(shù)據(jù)位;所述第二數(shù)目小于所述第一數(shù)目;及 根據(jù)所述第二數(shù)目個數(shù)據(jù)位及所述組標(biāo)識,確定所述第一數(shù)目個數(shù)據(jù)位。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人美光科技公司,其通訊地址為:美國愛達(dá)荷州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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