臺灣積體電路制造股份有限公司楊耀仁獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利制造半導體器件的方法和非暫時性計算機可讀存儲介質獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114818583B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210060016.6,技術領域涉及:G06F30/392;該發明授權制造半導體器件的方法和非暫時性計算機可讀存儲介質是由楊耀仁;張盟昇設計研發完成,并于2022-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造半導體器件的方法和非暫時性計算機可讀存儲介質在說明書摘要公布了:一種方法包括接收設計規則組,設計規則組包括與有源區域相關聯的寬度和間距的預定集合。該方法還包括提供包括具有相應有源區域的單元的單元庫,其中有源區域的寬度和間距選自設計規則組的預定集合。該方法包括在設計布局中放置來自單元庫的第一單元和第二單元。第一單元在第一方向上具有單元高度,并且第一單元具有在第一方向上具有第一寬度的第一有源區域。第二單元具有單元高度,并且第二單元具有在第一方向上具有第二寬度的第二有源區域。第二寬度不同于第一寬度。該方法還包括根據設計布局制造半導體器件。本發明的實施例還涉及制造半導體器件的方法和非暫時性計算機可讀存儲介質。
本發明授權制造半導體器件的方法和非暫時性計算機可讀存儲介質在權利要求書中公布了:1.一種制造半導體器件的方法,包括: 接收設計規則組,所述設計規則組包括符合制造要求且與有源區域相關聯的寬度和間距的離散數值的預定集合; 提供包括單元的單元庫,所述單元具有相等的單元高度并且包括相應的有源區域,其中,所述有源區域的寬度和間距選自所述設計規則組的預定集合; 將來自所述單元庫的第一單元放置在設計布局中,其中,所述第一單元在第一方向上具有單元高度,并且所述第一單元包括在所述第一方向上具有第一寬度的第一有源區域; 將來自所述單元庫的第二單元放置在所述設計布局中,其中,所述第二單元具有與所述第一單元的所述單元高度相同的單元高度,并且所述第二單元包括在所述第一方向上具有第二寬度的第二有源區域,所述第二有源區域與所述第一有源區域在垂直于所述第一方向的第二方向上間隔布置,所述第二寬度不同于所述第一寬度;以及 根據所述設計布局制造半導體器件。
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