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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利對(duì)通孔缺陷進(jìn)行建模的系統(tǒng)和方法以及儲(chǔ)存介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115310395B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210522958.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/392；該發(fā)明授權(quán)對(duì)通孔缺陷進(jìn)行建模的系統(tǒng)和方法以及儲(chǔ)存介質(zhì)是由林承毅;洪宗揚(yáng);安基達(dá)·帕帝達(dá);王明義;桑迪·庫(kù)馬·戈埃爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本對(duì)通孔缺陷進(jìn)行建模的系統(tǒng)和方法以及儲(chǔ)存介質(zhì)在說(shuō)明書摘要公布了：公開(kāi)了一種對(duì)通孔缺陷進(jìn)行建模的方法和系統(tǒng)以及非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存介質(zhì)。該方法，包括：獲取標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)計(jì)布局，從設(shè)計(jì)布局中提取標(biāo)準(zhǔn)單元中的一個(gè)或多個(gè)通孔的特征信息，通過(guò)應(yīng)用第一異常電阻值作為一個(gè)或多個(gè)通孔之中的第一通孔的寄生電阻值，來(lái)對(duì)于輸入范例執(zhí)行電路模擬以獲得標(biāo)準(zhǔn)單元的第一模擬輸出，第一異常電阻值不同于第一通孔的標(biāo)稱寄生電阻值，確定對(duì)于輸入范例的標(biāo)準(zhǔn)單元的第一模擬輸出是否與相應(yīng)的期望輸出匹配，以及響應(yīng)于第一模擬輸出之中的一個(gè)或多個(gè)模擬輸出與相應(yīng)的期望輸出不匹配，記錄具有第一異常電阻值的第一通孔的一個(gè)或多個(gè)缺陷類型以及相應(yīng)的輸入范例和相應(yīng)的模擬輸出。

本發(fā)明授權(quán)對(duì)通孔缺陷進(jìn)行建模的系統(tǒng)和方法以及儲(chǔ)存介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種對(duì)通孔缺陷進(jìn)行建模的方法，包括： 獲取標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)計(jì)布局； 從所述設(shè)計(jì)布局中提取所述標(biāo)準(zhǔn)單元中的一個(gè)或多個(gè)通孔的特征信息，所述特征信息包括通孔位置信息、通孔層信息或通孔標(biāo)稱寄生電阻信息中的一種或多種； 通過(guò)應(yīng)用第一異常電阻值作為所述一個(gè)或多個(gè)通孔之中的第一通孔的寄生電阻值，來(lái)對(duì)于輸入范例執(zhí)行電路模擬以獲得所述標(biāo)準(zhǔn)單元的第一模擬輸出，所述第一異常電阻值不同于所述第一通孔的標(biāo)稱寄生電阻值； 確定對(duì)于所述輸入范例的所述標(biāo)準(zhǔn)單元的所述第一模擬輸出是否與相應(yīng)的期望輸出匹配；以及 響應(yīng)于所述第一模擬輸出之中的一個(gè)或多個(gè)模擬輸出與所述相應(yīng)的期望輸出不匹配，記錄具有所述第一異常電阻值的所述第一通孔的一個(gè)或多個(gè)缺陷類型以及相應(yīng)的輸入范例和相應(yīng)的模擬輸出。

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