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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利提升發光效率的發光二極管的外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115274947B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210770975.7，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權提升發光效率的發光二極管的外延片及其制備方法是由肖云飛;陸香花;葛永暉;梅勁設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本提升發光效率的發光二極管的外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種提升發光效率的發光二極管的外延片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該外延片包括襯底和依次形成在襯底上的n型層、發光層和p型層；發光層包括多個InGaN量子阱層、多個n型GaN量子壘層和一個復合量子壘層，多個InGaN量子阱層和多個n型GaN量子壘層交替層疊，復合量子壘層位于最靠近p型層的InGaN量子阱層上，復合量子壘層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層、第四子層和第五子層，第一子層和第五子層均為GaN層，第二子層為AlN層，第三子層為AlxGa1?xN層，0.02≤x≤0.08，第四子層為InN層。本公開實施例能提高電子空穴復合效率，提升發光二極管的發光效率。

本發明授權提升發光效率的發光二極管的外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種提升發光效率的發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底10和依次形成在所述襯底10上的n型層20、發光層30和p型層40； 所述發光層30包括多個InGaN量子阱層31、多個n型GaN量子壘層32和一個復合量子壘層320，所述多個InGaN量子阱層31和所述多個n型GaN量子壘層32交替層疊，所述復合量子壘層320位于最靠近所述p型層40的所述InGaN量子阱層31上，所述復合量子壘層320包括依次層疊的第一子層321、第二子層322、第三子層323、第四子層324和第五子層325，所述第一子層321和所述第五子層325均為GaN層，所述第二子層322為AlN層，所述第三子層323為AlxGa1-xN層，0.02≤x≤0.08，所述第四子層324為InN層，所述第一子層321的厚度為1nm至5nm，所述第二子層322的厚度為0.5nm至1.5nm，所述第三子層323的厚度為1nm至2nm，所述第四子層324的厚度為0.5nm至1.5nm，所述第五子層325的厚度為1nm至5nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。